砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等.回答下列问题:
(1)写出基态As原子的核外电子排布式________.
(2)根据元素周期律,原子半径Ga________As,第一电离能Ga________As.(填"大于"或"小于")
(3) 分子的立体构型为________,其中As的杂化轨道类型为________.
(4) 的熔点高于1000℃, 的熔点为77.9℃,其原因是________.
(5)GaAs的熔点为1238℃,密度为 , 其晶胞结构如图所示.
该晶体的类型为________,Ga与As以________键键合.Ga和As的摩尔质量分别为 和 , 原子半径分别为 和 ,阿伏伽德罗常数值为 ,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为________.
(18分)Heck反应是合成C--C键的有效方法之一,如反应
化合物II可由以F合成路线获得:
(1) Heck反应的反应类型是____反应;V→II的反应类型是_________反应
(2)化合物III的分子式为___________,1 mol化合物III最多可与_______mol H2发生加成反应。
(3)若化合物IV分子结构中有甲基,写出由化合物IV反应生成化合物V的化学方程式 ________________________________________________________.
(4)有关化合物II说法正确的是________________
A.l mol化合物II完全燃烧消耗5 mol O2 |
B.化合物II能使酸性高锰酸钾溶液褪色 |
C.化合物II难溶于水 |
D.化合物II分子间聚合,反应生成的高聚物结构为 |
(5)化合物III的一种同分异构体VI,苯环上的一氯取代物有两种,VI能与NaHCO3溶液反应生成无色气体,除苯环上的氢外核磁共振氢谱还有四组峰,峰面积之比为1:1:1:3,VI的结构简式为_______________________________.
(6) 也可以发生类似反应①的反应,反应后有机产物的
结构简式为_________________________________.