砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等．回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式________．
（2）根据元素周期律，原子半径Ga________As，第一电离能Ga________As．（填"大于"或"小于"）
（3） 分子的立体构型为________，其中As的杂化轨道类型为________．
（4） 的熔点高于1000℃， 的熔点为77.9℃，其原因是________．
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为 ， 其晶胞结构如图所示．
该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合．Ga和As的摩尔质量分别为 和 ， 原子半径分别为 和 ，阿伏伽德罗常数值为 ，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为________．
现要配制500mL2.0mol/L的NaOH溶液，请填写下列空白：
（1）若用固体NaOH作溶质，需NaOH的质量为 ，称取这些NaOH常用的仪器有 ；
（2）若用10mol/L的NaOH溶液作溶质，需NaOH溶液的体积为 ，量取该NaOH溶液常用的的仪器有 ；
（3）从上述配制的溶液中取出10mL，其中NaOH的物质的量浓度为 ，含有NaOH的质量为 ；
（4）将取出的10mL溶液加水稀释到100mL，稀释后溶液中NaOH的物质的量浓度为 。
将一定质量的镁铝合金投入100 mL一定浓度的盐酸中，合金完全溶解。向所得溶液中滴加浓度为5 mol/L的NaOH溶液，生成的沉淀跟加入的NaOH溶液的体积关系如图。（横坐标体积单位是mL，纵坐标质量单位是g）求：
（1）加入NaOH溶液0--20mL过程中反应方程式为：_______________________。160--180mL过程中反应方程式为_______________________。
（2）合金中Mg的质量为____________g。所用HCl的物质的量浓度为____________mol/L。
实验室里常用浓盐酸与二氧化锰反应来制取少量的氯气,反应的化学方程式为: MnO2 ＋ 4HCl（浓）
MnCl2＋Cl2↑＋2H2O
取一定量的浓盐酸使其与二氧化锰发生反应，产生的氯气在标准状况下的体积为11.2L。计算参加反应的二氧化锰的质量
向120mL浓硫酸中加入64g铜片，加热一段时间后至不再反应为止。
（1）在标准状况下，测得反应中共生成SO216.8L，计算被还原的硫酸的物质的量是多少？
（2）将反应后的混合物加水稀释到200mL并除去不溶物，加入足量的锌粉，放出9.408L氢气（标准状况下），计算原浓硫酸的物质的量浓度为多少？
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