[化学--选修3:物质结构与性质]
在普通铝中加入少量 和 后,形成一种称为拉维斯相的 微小晶粒,其分散在 中可使得铝材的硬度增加、延展性减小,形成所谓"坚铝",是制造飞机的主要村料。回答下列问题:
(1)下列状态的镁中,电离最外层一个电子所需能量最大的是(填标号)。
A. B. C. D.
(2)乙二胺 是一种有机化合物,分子中氮、碳的杂化类型分别是 、 。乙二胺能与Mg2+、Cu2+等金属离子形成稳定环状离子,其原因是,其中与乙二胺形成的化合物稳定性相对较高的是(填" "或" ")。
(3)一些氧化物的熔点如下表所示:
氧化物 |
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熔点/°C |
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解释表中氧化物之间熔点差异的原因 。
(4)图(a)是 的拉维斯结构, 以金刚石方式堆积,八面体空隙和半数的四面体空隙中,填入以四面体方式排列的 。图(b)是沿立方格子对角面取得的截图。可见, 原子之间最短距离 , 原子之间最短距离 。设阿伏加德罗常数的值为 ,则 的密度是 (列出计算表达式)。
[化学一一选修3: 物质结构与性质]
锗(Ge)是典型的半导体元素,在电子、材料等领域应用广泛。回答下列问题:
(1) 基态 Ge 原子的核外电子排布式为[Ar] ,有 个末成对电子。
(2) Ge 与 C 是同族元素, 原子之间可以形成双键、叁键, 但 原子之间难以形成双键或 叁键。从原子结构角度分析,原因是 。
(3)比较下列锗卤化物的熔点和沸点, 分析其变化规律及原因 。
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熔点/ |
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26 |
146 |
沸点/ |
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186 |
约 400 |
(4) 光催化还原 制备 反应中,带状纳米 是该反应的良好催化剂。 、Ge、O 电负性由大至小的顺序是 。
(5) Ge 单晶具有金刚石型结构, 其中 原子的杂化方式为_ , 微粒之间存在的作用力是_ 。
(6)晶胞有两个基本要素:
①原子坐标参数, 表示晶胞内部各原子的相对位置, 下图为 Ge 单晶的晶胞, 其中原子坐标参数 为 为 为 。则 原子的坐标参数为 。
②晶胞参数, 描述晶胞的大小和形状,已知 Ge 单晶的晶胞参数 , 其密度为 (列出计算式即可)。
CdSnAs2是一种高迁移率的新型热电材料,回答下列问题:
(1)Sn为ⅣA族元素,单质Sn与干燥Cl2反应生成SnCl4.常温常压下SnCl4为无色液体,SnCl4空间构型为 ,其固体的晶体类型为 。
(2)NH3、PH3、AsH3的沸点由高到低的顺序为 ( 填化学式,下同),还原性由强到弱的顺序为 ,键角由大到小的顺序为 。
(3)含有多个配位原子的配体与同一中心离子(或原子)通过螯合配位成环而形成的配合物为螯合物。一种Cd2+配合物的结构如图所示,1mol该配合物中通过螯合作用形成的配位键有 mol,该螯合物中N的杂化方式有 种。
(4)以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置,称作原子的分数坐标。四方晶系CdSnAs2的晶胞结构如图所示,晶胞棱边夹角均为90°,晶胞中部分原子的分数坐标如下表所示。
坐标 原子 |
x |
y |
z |
Cd |
0 |
0 |
0 |
Sn |
0 |
0 |
0.5 |
As |
0.25 |
0.25 |
0.125 |
一个晶胞中有 个Sn,找出距离Cd(0,0,0)最近的Sn ( 用分数坐标表示)。CdSnAs2晶体中与单个Sn键合的As有 个。
氨硼烷(NH 3BH 3)含氢量高、热稳定性好,是一种具有潜力的固体储氢材料。回答下列问题:
(1)H、B、N中,原子半径最大的是 。根据对角线规则,B的一些化学性质与元素 的相似。
(2)NH 3BH 3分子中,N﹣B化学键称为 键,其电子对由 提供。氨硼烷在催化剂作用下水解释放氢气:
3NH 3BH 3+6H 2O═3NH 4 ++B 3O 6 3 ﹣+9H 2
B 3O 6 3 ﹣的结构为 .在该反应中,B原子的杂化轨道类型由 变为 。
(3)NH 3BH 3分子中,与N原子相连的H呈正电性(H δ +),与B原子相连的H呈负电性(H δ﹣),电负性大小顺序是 。与NH 3BH 3原子总数相等的等电子体是 (写分子式),其熔点比NH 3BH 3 (填"高"或"低"),原因是在NH 3BH 3分子之间,存在 作用,也称"双氢键"。
(4)研究发现,氨硼烷在低温高压条件下为正交晶系结构,晶胞参数分别为apm、bpm、cpm,α=β=γ=90°.氨硼烷的2×2×2超晶胞结构如图所示。氨硼烷晶体的密度ρ= g•cm ﹣ 3(列出计算式,设N A为阿伏加德罗常数的值)。