高中化学

砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等.回答下列问题:

(1)写出基态As原子的核外电子排布式________.

(2)根据元素周期律,原子半径Ga________As,第一电离能Ga________As.(填"大于"或"小于")

(3) A s C l 3 分子的立体构型为________,其中As的杂化轨道类型为________.

(4) G a F 3 的熔点高于1000℃, G a C l 3 的熔点为77.9℃,其原因是________.

(5)GaAs的熔点为1238℃,密度为 ρ g c m 3   , 其晶胞结构如图所示.

该晶体的类型为________,Ga与As以________键键合.Ga和As的摩尔质量分别为 M G a g m o l 1 M A s g m o l 1 , 原子半径分别为 r G a p m r A s p m ,阿伏伽德罗常数值为 N A ,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为________.

来源:2016年全国统一高考理综试卷(新课标Ⅲ卷)(化学部分)
  • 更新:2021-09-23
  • 题型:未知
  • 难度:未知

高中化学晶胞的计算计算题