P、Q两电荷的电场线分布如图所示，c、d为电场中的两点．一个离子从a运动到b(不计重力)，轨迹如图中虚线所示．则下列判断正确的是
| A．Q带正电 |
| B．c点电势高于d点电势 |
| C．离子在运动过程中受到P的排斥 |
| D．离子从a到b，电场力做负功 |
将一电荷量为+Q的小球放在原来不带电的金属球附近,最终所形成的电场线分布图。a、b
为电场中的两点,c、d为金属球表面与内部上两点（未标出）.则（ ）
| A．a点的电场强度比b点的大 |
| B．a点的电势比b点的高，而c、d电势不相等 |
| C．检验电荷-q 在a点的电势能比在b点的大 |
| D．将检验电荷-q 从a点移到b点的过程中,电场力做正功 |
关于静电场，下列说法正确的是( )
| A．电势等于零的物体一定不带电 |
| B．电场强度为零的点，电势一定为零 |
| C．同一电场线上的各点，电势一定相等 |
| D．负电荷沿电场线方向移动时，电势能一定增加 |
如图所示，真空中两个带等量异种点电荷，A、B分别为两电荷连线和连线中垂线上的点，A、B两点电场强度大小分别是EA、EB，电势分别是φA、φB，下列判断正确的是
A．EA>EB，φA>φB
B．EA>EB，φA<φB
C．EA< EB，φA>φB
D．EA<EB，φA<φB
如图所示，一个原来不带电的金属球壳内，在其球心放一个负点电荷，那么关于A、B、C三点的电势
、
、
的关系正确的是（ ）
A、
B、
C、
D、
在一个匀强电场中有M、N、P三点，它们的连线组成一个直角三角形，如图所示。MN = 4cm，MP = 5cm，当把电量为-2×10-9C的点电荷从M点移至N点时，电场力做功为8×10-9J，而从M点移至P点时，电场力做功也为8×10-9J。则电场的方向为_________________，电场强度的大小为________________V/m。
某电场的电场线分布如图所示，下列说法正确的是
| A．a点的电势高于b点的电势 |
| B．c点的场强大于d点的场强 |
| C．若将正试探电荷由a点移到b点，电场力做正功 |
| D．若将一负试探电荷由c点移到d点，电势能减小 |
电荷分布在有限空间内，则任意两点P1、P2之间的电势差取决于（ ）
| A．从P1移到P2的试探电荷电量的大小 |
| B．P1和P2处电场强度的大小 |
| C．由P1移到P2电场力对单位正电荷所做的功 |
| D．试探电荷由P1移到P2的路径 |
下列说法中正确的是 （ ）
| A．电场线越密处场强越大，电势越高 |
| B．沿电场线的方向场强减小，电势降低 |
| C．场强为0处，电势不一定为0 |
| D．在电势高处电荷具有的电势能大 |
如图所示，a，b，c为电场中同一条水平方向电场线上的三点，c为ab中点．a，b电势分别为
，
，下列叙述正确的是（ ）
| A．该电场在c点处的电势一定为4V |
B．a点处的场强 一定大于b点处的场强 |
| C．一正电荷从c点运动到b点电势能一定减少 |
| D．一正电荷运动到c点时受到的电场力由c指向a |
硅光电池作为电源已广泛应用于人造卫星、灯塔和无人气象站等，高速公路上安装的 “电子眼”通常也采用硅光电池供电。硅光电池的原理如图所示，a、b是硅光电池的两个电极，P、N是两块硅半导体，E区是两块半导体自发形成的匀强电场区，P的上表面镀有一层增透膜。光照射到半导体P上，使P内受原子束缚的电子成为自由电子，自由电子经E区电场加速到达半导体N，从而产生电动势，形成电流。以下说法中正确的是
| A．E区匀强电场的方向由P指向N |
| B．电源内部的电流方向由P指向N |
| C．a电极为电池的正极 |
| D．硅光电池是一种把化学能转化为电能的装置 |
关于电场强度和电势，下列说法正确的是
| A．由公式E＝F/q可知E与F成正比，与q成反比 |
| B．由公式U＝Ed可知，在匀强电场中，任意两点间的电势差与这两点间的距离成正比 |
| C．电场强度为零处，电势不一定为零 |
| D．无论是正电荷还是负电荷，当它在电场中移动时，若电场力做正功，它一定是从电势高处移到电势低处，并且它的电势能一定减少 |
如图，质量为m、电量为 e的电子，从A点以速度v0垂直场强方向射入匀强电场中，从B点射出电场时的速度方向与电场线成120o角，问A、B两点间的电势差是多少？
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