如图所示,R1和R2是材料相同,厚度相同、表面积为正方形的导体,已知R1的表面积是R2的100倍,通过导体的电流方向如图所示。则这两个导体的电阻关系为( )
A.R1=100R2 | B.R2=100R1 |
C.R2=10R1 | D.R1=R2 |
如图所示,a、b、c为不同材料做成的电阻,b与a的长度相等,横截面积是a的两倍;c与a的横截面积相等,长度是a的两倍.当开关闭合后,三个理想电压表的示数关系是V1∶V2∶V3=1∶1∶2.关于三种材料的电阻率ρa、ρb、ρc,下列说法中正确的是( )
A.ρa是ρb的2倍 | B.ρa是ρc的2倍 |
C.ρb是ρc的2倍 | D.ρc是ρa的2倍 |
用图示的电路可以测量电阻的阻值。图中Rx是待测电阻,R0是定值电阻,是灵敏度很高的电流表,MN是一段均匀的电阻丝。闭合开关,改变滑动头P的位置,当通过电流表的电流为零时,测得MP=l1,PN=l2,则Rx的阻值为
A. | B. | C. | D. |
某个由导电介质制成的电阻截面如图所示。导电介质的电阻率为ρ、制成内、外半径分别为a和b的半球壳层形状(图中阴影部分),半径为a、电阻不计的球形电极被嵌入导电介质的球心为一个引出电极,在导电介质的外层球壳上镀上一层电阻不计的金属膜成为另外一个电极。设该电阻的阻值为R。下面给出R的四个表达式中只有一个是合理的,你可能不会求解R,但是你可以通过一定的物理分析,对下列表达式的合理性做出判断。根据你的判断,R的合理表达式应为
A.R= | B.R= |
C.R= | D.R= |
当电路中的电流超过熔丝的熔断电流时,熔丝就要熔断.由于种种原因,熔丝的横截面积略有差别.那么熔丝熔断的可能性较大的是( )
A.横截面积大的地方 |
B.横截面积小的地方 |
C.同时熔断 |
D.可能是横截面积大的地方,也可能是横截面积小的地方 |
关于电阻和电阻率的说法中,正确的是( )
A.导体对电流的阻碍作用叫做导体的电阻,因此只有导体中有电流通过时才有电阻 |
B.由R=U/I可知导体的电阻与导体两端的电压成正比,跟导体中的电流成反比 |
C.纯金属材料的电阻率一般随温度的升高而增大 |
D.将一根导线等分为二,则半根导线的电阻和电阻率都是原来的二分之一 |
为探究小灯泡L的伏安特性,连好图示的电路后闭合开关,通过移动变阻器的滑片,使小灯泡中的电流由零开始逐渐增大,直到小灯泡正常发光。由电流表和电压表得到的多组读数描绘出的U-I图象应是( )
A. | B. |
C. | D. |
如图所示,AB、CD为两根平行的相同的均匀电阻丝,EF为另一根电阻丝,其电阻为R,它可以在AB、CD上滑动并保持与AB垂直,EF与AB、CD接触良好.图中电压表为理想电压表.电池的电动势和内阻都不变.B、D与电池两极连接的导线的电阻可忽略.当EF处于图中位置时,电压表的读数为U1="4.0" V.已知将EF由图中位置向左移动一段距离△L后,电压表的读数变为U2="3.0" V.若将EF由图中位置向右移动一段距离△L,电压表的读数U3是多少?
两根完全相同的金属裸导线甲和乙,如果把甲均匀拉长到原来的两倍,把乙对折后绞合起来,然后给它们分别加上相同的电压,则处理后的甲、乙两导线某一横截面上通过相同的电荷量所用的时间之比为
A.1∶8 | B.8∶1 | C.1∶16 | D.16∶1 |
关于电阻率,下列说法正确的是 ( )
A.电阻率是表征材料导电性能好坏的物理量,电阻率越大,材料的导电性能越好。 |
B.各种材料的电阻率都与温度有关,金属导体的电阻率随温度的升高而增大。 |
C.材料的电阻率越大,导体的电阻就越大。 |
D.有些的合金的电阻率几乎不受温度的影响,通常用它们制成标准的电阻。 |
如下图所示,A、B两闭合圆形线圈用同样导线且均绕成10匝,半径RA=2RB,内有以B线圈作为理想边界的匀强磁场,若磁场均匀减小,则A、B环中感应电动势EA∶EB与产生的感应电流IA∶IB分别是( )
A.EA∶EB=1∶1;IA∶IB=1∶2
B.EA∶EB=1∶2;IA∶IB=1∶2
C.EA∶EB=1∶4;IA∶IB=2∶1
D.EA∶EB=1∶2;IA∶IB=1∶4
关于电阻率,下列说法中正确的是( )
A.电阻率是表征材料导电性能好坏的物理量,电阻率越大,其导电性能越好 |
B.各种材料的电阻率大都与温度有关,金属的电阻率随温度升高而减小 |
C.所谓超导体,是当其温度降低到接近绝对零度的某个临界温度时,它的电阻率突然变为无穷大 |
D.某些合金的电阻率几乎不受温度变化的影响,通常都用它制作标准电阻 |
温度能明显地影响金属导体和半导体材料的导电性能,如图所示的图线分别为某金属导体和某半导体的电阻随温度变化的关系曲线,则( )
A.图线1反映半导体材料的电阻随温度的变化关系 |
B.图线2反映金属导体的电阻随温度的变化关系 |
C.图线1反映金属导体的电阻随温度的变化关系 |
D.图线2反映半导体材料的电阻随温度的变化关系 |