⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 ▲ 。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 ▲ 。在四大晶体类型中，GaN属于 ▲ 晶体。
⑵铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有 ▲ 的原子或离子
⑶CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子：请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 ▲ 。
②SO2分子的空间构型为 ▲ 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为 ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是 ▲ 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 ▲ 。
a．配位键 b．极性键 c．离子键 d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如右图所示，其中Cl原子的配位数为 ▲ 。
在下列物质中选择相应的序号填空：
①甲烷 ②乙烯 ③甲苯 ④1-丁醇 ⑤乙酸乙酯 ⑥甘氨酸
Ⅰ．分子结构为正四面体的是 ；Ⅱ．能发生水解反应的是 ；
Ⅲ．能与溴水反应并使其褪色的是 ；Ⅳ．与酸或碱都能反应生成盐的是 ；
Ⅴ．能发生消去反应的是 ；
A～G是几种烃的分子球棍模型，据此回答下列问题：
(1)常温下含碳量最高的气态烃是(填对应字母)________；
(2)能够发生加成反应的烃有(填数字)____种；
(3)一卤代物种类最多的是(填对应的字母)____；
(4)写出C发生加聚反应的化学方程式________________；
(5)写出G合成烈性炸药(TNT)的化学方程式____________。
现有25 ℃时0.1 mol/L的氨水。请回答以下问题：
(1)若向氨水中加入少量硫酸铵固体，此时溶液中
_________(填“增大”“减小”或“不变”)。
(2)若向氨水中加入稀硫酸，使其恰好完全中和，写出反应的离子方程式____________________；所得溶液的pH___ 7(填“＜”“＞”或“＝”)，用离子方程式表示其原因_________________。
(3)若向氨水中加入稀硫酸至溶液的pH＝7，此时c(NH
)＝a mol/L，则c(SO
)＝__________。
(4)若向氨水中加入pH＝1的硫酸，且氨水与硫酸的体积比为1∶1，则所得溶液中各离子物质的量浓度由大到小的顺序是___ _______。
在2L密闭容器内，800℃时反应2NO(g)＋O2(g) 
2NO2(g)体系中，n(NO)随时间的变化如下表：
| 时间/s |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
| n(NO)/mol |
0.020 |
0.010 |
0.008 |
0.007 |
0.007 |
0.007 |
(1)写出该反应的平衡常数表达式：K＝__________。已知：K300 ℃＞K350 ℃，则该反应是__________热反应。
(2)右图中表示NO2的变化的曲线是________。用O2表示从0～2 s内该反应的平均速率v＝__________。
(3)能说明该反应已达到平衡状态的是__________。
a．v(NO2)＝2v(O2)
b．容器内压强保持不变
c．v逆(NO)＝2v正(O2)
d．容器内密度保持不变
(4)能使该反应的反应速率增大，且平衡向正反应方向移动的是__________。
a．及时分离出NO2气体
b．适当升高温度
c．增大O2的浓度
d．选择高效催化剂
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