氮化铝(AlN)广泛应用于集成电路,其制备原理是将氧化铝与碳粉混合均匀,在持续流动的氮气流中加热至1750℃,发生如下反应:
(1)断开N2分子内的共价键要 热量(填“吸收”或“放出”)
(2)分析反应②对①、③平衡移动的影响 。
(3)Al2O3、C、N2合成AlN的平衡常数表达式K= 。
(4)用蒸馏法测定产品中AlN的含量,装置如下(加热及夹持装置略):
①AlN与NaOH溶液反应产生NH3的化学方程式是 。
②锥形瓶内吸收NH3的离子方程式是 。
③检验NH3是否完全蒸出的方法是:另取少量蒸馏出的溶液, (将检验过程补充完整)。
④NH3完全吸收后,向锥形瓶中加入指示剂,用浓度为c((N aOH)mol/L的NaOH标准溶液滴定过量的H2SO4,终点时用去标准溶液的体积为。下面有关计算正确的是 。
A.样品中AlN的质量:
B.AlN的质量分数:
C.锥形瓶吸收NH3的物质的量: