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  • 更新 2024-01-09
  • 科目 化学
  • 题型 实验题
  • 难度 中等
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超纯 Ga(C H 3 ) 3 是制备第三代半导体的支撑源材料之一,近年来,我国科技工作者开发了超纯纯化、超纯分析和超纯灌装一系列高新技术,在研制超纯 Ga(C H 3 ) 3 方面取得了显著成果,工业上以粗镓为原料,制备超纯 Ga(C H 3 ) 3 的工艺流程如图:

知:①金属 Ga 的化学性质和 Al 相似, Ga 的熔点为 29.8℃ ;

② E t 2 O (乙醚)和 N R 3 (三正辛胺)在上述流程中可作为配体;

③相关物质的沸点:

物质

Ga(C H 3 ) 3

E t 2 O

C H 3 I

N R 3

沸点/ ℃

55.7

34.6

42.4

365.8

回答下列问题:

(1)晶体 Ga(C H 3 ) 3 的晶体类型是_____;

(2)“电解精炼”装置如图所示,电解池温度控制在 40~45℃ 的原因是__________,阴极的电极反应式为_____;

(3)“合成 Ga(C H 3 ) 3 (E t 2 O) ”工序中的产物还包括 Mg I 2 和 C H 3 MgI ,写出该反应的化学方程式_______________;

(4)“残渣”经纯水处理,能产生可燃性气体,该气体主要成分是_____;

(5)下列说法错误的是_____;

A.流程中 E t 2 O 得到了循环利用

B.流程中,“合成 G a 2 M g 5 ”至“工序 X ”需在无水无氧的条件下进行

C.“工序 X ”的作用是解配 Ga(C H 3 ) 3 (N R 3 ) ,并蒸出 Ga(C H 3 ) 3

D.用核磁共振氢谱不能区分 Ga(C H 3 ) 3 和 C H 3 I

(6)直接分解 Ga(C H 3 ) 3 (E t 2 O) 不能制备超纯 Ga(C H 3 ) 3 ,而本流程采用“配体交换”工艺制备超纯 Ga(C H 3 ) 3 的理由是 ____________________;

(7)比较分子中的 C﹣Ga﹣C 键角大小: Ga(C H 3 ) 3  _____  Ga(C H 3 ) 3 (E t 2 O) (填“>”“<”或“=”),其原因是__________。

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超纯Ga(CH3)3是制备第三代半导体的支撑源材料之一,近年