依据氧化还原反应：2Ag+（aq）+Cu（s）═Cu2+（aq）+2Ag（s）设计的原电池如图所示．请回答下列问题：
（1）电极X的材料是 ；电解质溶液Y是 ；
（2）银电极发生的电极反应为 ；
（3）X电极上发生的电极反应为 ；
(8分)分别按下图甲、乙所示装置进行实验，图中两个烧杯里的溶液为同浓度的稀硫酸，乙中G为电流计。请回答下列问题：
（1）以下叙述中，正确的是______。
| A．甲中锌片是负极，乙中铜片是正极 |
| B．两烧杯中铜片表面均有气泡产生 |
| C．两烧杯中溶液pH均增大 |
| D．产生气泡的速度甲中比乙中慢 |
E．乙的外电路中电流方向Zn→Cu
（2）变化过程中能量转化的形式主要是：乙为__________。
（3）在乙实验中，某同学发现不仅在铜片上有气泡产生，而且在锌片上也产生了气体，分析原因可能是_________。
（4）在乙实验中，如果把硫酸换成硫酸铜溶液，请写出铜电极的电极反应方程式________________。
（1）下列过程中不一定释放能量的是 (请填编号)
A．化合反应
B．分解反应
C．形成化学键
D．燃料燃烧，
E．酸碱中和
F．炸药爆炸
（2）等质量的下列物质分别完全燃烧，放出热量较多的是 （填编号）
A．硫蒸气 B．硫固体
（3）已知：通常条件下，酸碱稀溶液中和生成1mol水放出的热量为中和热。稀溶液中1molH2SO4和NaOH恰好反应时放出QkJ热量，则其中和热为 kJ/mol。
（4）已知H2和O2反应放热，且断开1molH－H、1molO=O、1molO－H键需吸收的能量分别为Q1、Q2、Q3kJ。由此可以推知下列关系正确的是 （填编号）
A、Q1﹥Q3，
B、Q2﹥Q3，
C、2Q1+Q2﹤2Q3，
D、2Q1+Q2﹤4Q3
E、Q1+Q2﹥Q3
F、Q1+Q2﹤Q3
、现有部分短周期元素的性质或原子结构如下表：
| 元素编号 |
元素性质或原子结构 |
| A |
有三个电子层，K、M层电子数之和等于L层电子数 |
| B |
短周期中金属性最强 |
| C |
常温下单质为双原子分子，氢化物的水溶液呈碱性 |
| D |
元素最高正价是+7价 |
（1）用化学用语回答下列问题：
B元素在周期表中的位置 ；
用电子式表示BD化合物的形成过程 。
（2）元素D与元素A相比，非金属性较强的是D，下列表述中无法证明这一事实的是 （填选项序号）。
a．常温下D的单质和A的单质状态不同
b．D的氢化物比A的氢化物稳定
c．一定条件下D和A的单质都能与钠反应
d．A最高价含氧酸的酸性弱于D最高价含氧酸
e．D单质能与A的氢化物反应生成A单质
（3）X是由A、B、C、D四种元素中的某种元素组成的单质，能经下图所示的过程转化（反应条件和个别生成物已略去）。
①若Y是有刺激性气味的无色气体，把Y通入BaCl2溶液中，然后滴加适量H2O2溶液，有白色沉淀生成，生成该白色沉淀的化学方程式为： ；
②若X是金属单质，则Z→W的反应中氧化剂与还原剂物质的量之比为 。
(8分)由于在周期表中位置相近的元素性质相近，启发了人们在周期表中的一定区域内寻找新的物质。
（1）人们可以在周期表里金属和非金属的交界处找到半导体材料。
①下列单质中，只有一种物质不能做半导体材料，该物质是
A．Si B．Ge C．S
②Ga和As可以形成一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第VA族。这种的新型化合物化学式为______________；
（2）致冷剂应该低毒、不易燃烧，性质稳定。致冷剂氟利昂（CF2Cl2）是科学家求助于周期表中元素及其化合物的易燃性、毒性、沸点等方面的变化趋势开发出来的。
①氢化物的易燃性：
第二周期____________>
>
；第三周期
>
>
>
。
②化合物的毒性：
_______ 
于是科学家们开始把注意力集中在含F、Cl的化合物上。经过较长时间反复试验，一种新的致冷剂氟里昂（CF2Cl2）终于诞生了。尽管现在我们知道，氟里昂导致了臭氧层的破坏，但科学家的这种研究思路还是值得肯定的。
某烃A的相对分子质量为84。回答下列问题：
（1）下列物质与A以任意比例混合，若总物质的量一定，充分燃烧消耗氧气的量不相等的是(填序号) 。
a．C7H12O2 b．C6H14 c．C6H14O d．C7H14O3
若烃A为链烃，与HBr加成后只能得到一种产物，且该烃的一氯代物只有一种。
（2）①A的结构简式为________________；名称是 。
②A在一定条件下能发生加聚反应，写出该反应的化学方程式 。
③A与足量的溴水反应生成B，B与NaOH的醇溶液共热可以得到D，B和D的相对分子质量满足M(D)+81=M(B)。则D分子中含有的官能团有： （填名称）。
（3）若核磁共振氢谱显示链烃A中有三个峰，且峰面积比为3：2：1。写出A所有可能的结构简式 。
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