多晶硅生产工艺流程如下:
(1)粗硅粉碎的目的是 。分离SiHCl3 (l)和SiCl4(l)的方法为 。
(2)900℃以上, H2与SiHCl3发生如下反应:SiHCl3 (g)+ H2 (g)Si (s) + 3HCl (g) ΔH >0,其平衡常数表达式为K = 。为提高还原时SiHCl3的转化率,可采取的措施有 。
(3)该流程中可以循环使用的物质是 。
(4)SiCl4与上述流程中的单质发生化合反应,可以制得SiHCl3,其化学方程式为 。
多晶硅生产工艺流程如下:
(1)粗硅粉碎的目的是 。分离SiHCl3 (l)和SiCl4(l)的方法为 。
(2)900℃以上, H2与SiHCl3发生如下反应:SiHCl3 (g)+ H2 (g)Si (s) + 3HCl (g) ΔH >0,其平衡常数表达式为K = 。为提高还原时SiHCl3的转化率,可采取的措施有 。
(3)该流程中可以循环使用的物质是 。
(4)SiCl4与上述流程中的单质发生化合反应,可以制得SiHCl3,其化学方程式为 。