单晶硅是制作电子集成电路的基础材料。科学家预计，到2011年一个电脑芯片上将会集成10亿个晶体管，其功能远比我们想象的要大的多，这对硅的纯度要求很高。用化学方法可制得高纯度硅，其化学方程式为 ： ①SiO2＋ 2 C 
Si ＋ 2 CO
②Si ＋ 2Cl2 SiCl4 ③SiCl4 + 2H2 Si + 4HCl，其中反应①和③都属于
| A．分解反应 | B．化合反应 |
| C．置换反应 | D．复分解反应 |
相关试题
下表中除去杂质的方法正确的是( )
| 选项 |
物质 |
杂质 |
试剂 |
主要操作 |
| A |
SiO2 |
Fe2O3 |
HCl |
过滤 |
| B |
Na2CO3 |
NaCl |
BaCl2 |
过滤 |
| C |
CH3CH2OH |
H2O |
Na |
蒸馏 |
| D |
碘水 |
Br2 |
CCl4 |
萃取 |
右图为铜锌原电池装置，下列叙述错误的是( )
| A．Zn片为负极，Cu片为正极 | B．Zn片质量减小，电子流出 |
| C．Cu片上发生氧化反应 | D．Cu 片上有气泡产生 |
以下物质保存方法不正确的是 ( )
| A．少量金属钠保存在煤油中 | B．少量白磷保存在水中 |
| C．浓硝酸保存在棕色试剂瓶中 | D．氢氧化钠溶液保存在配有玻璃塞的细口瓶中 |
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