单晶硅是制作电子集成电路的基础材料。科学家预计，到2011年一个电脑芯片上将会集成10亿个晶体管，其功能远比我们想象的要大的多，这对硅的纯度要求很高。用化学方法可制得高纯度硅，其化学方程式为 ： ①SiO2＋ 2 C 
Si ＋ 2 CO
②Si ＋ 2Cl2 SiCl4 ③SiCl4 + 2H2 Si + 4HCl，其中反应①和③都属于
| A．分解反应 | B．化合反应 |
| C．置换反应 | D．复分解反应 |
相关试题
下列陈述I、II正确并且有因果关系的是
| 选项 |
陈述I |
陈述II |
| A |
浓H2SO4有吸水性 |
浓H2SO4可用于干燥氨气 |
| B |
SO2有还原性 |
SO2尾气可用NaOH溶液吸收 |
| C |
Mg有还原性 |
电解MgCl2饱和溶液可制备Mg |
| D |
锌金属活动性比铁强 |
海轮外壳上装锌块可减缓腐蚀 |
短周期元素X原子核外的电子处于n个电子层上，最外层电子数为（2n+1），核内质子数为（2n2－1）。有关X的说法中不正确的是
| A．X元素气态氢化物的水溶液不可能呈酸性 |
| B．X能形成化学式为NaXO3的含氧酸钠盐 |
| C．X原子的最外层电子数和核电荷数不可能为偶数 |
| D．X元素常见单质的化学式为X2 |
下列叙述正确的是
| A．图I装置中通入N2和O2的作用是相同的 |
| B．图Ⅱ中甲、乙两装置产生喷泉的原理一样 |
| C．图Ⅲ①装置中镁片是原电池的负极；②装置中镁片是原电池的正极 |
| D．图Ⅳ分液漏斗盛硝酸能证明非金属性N＞C＞Si，盛硫酸能证明非金属性S＞C＞Si |
下列离子方程式正确的是
| A．Cl2通入水中：Cl2+H2O=2H+ +Cl-+ClO- |
| B．硫酸镁溶液与氢氧化钡溶液混合：SO42- + Ba2+ =BaSO4↓ |
C．用铜作电极电解CuSO4溶液：2Cu2++2H2O 2Cu+O2↑+4H+ |
| D．AlCl3溶液中加入过量氨水：Al3++3NH3•H2O =Al(OH)3↓+ 3NH4+ |
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