如上图，已知：
①单质E可作为半导体材料；
②化合物F是不能生成盐的氧化物；
③化合物I能溶于水呈酸性，它能够跟氧化物A起反应。
据此，请填空：
（1）化合物F是 。
（2）化合物I是 。
（3）反应③的化学方程式 。
（4）反应④的化学方程式 。
Ⅰ.已知A、B、C、D四种分子所含原子的数目依次为1、3、6、6，且都含有18个电子，B、C是由两种元素的原子组成，且分子中两种原子的个数比均为1:2。D是一种有毒的有机物。
（1）组成A分子的原子的元素符号是；
（2）从B分子的立体结构判断，该分子属于分子（填“极性”或“非极性”）；
（3）C分子中都包含_______个σ键，_______个π键；（2分,每空1分）
（4）D的熔、沸点比CH4的熔、沸点高，其主要原因是（须指明D是何物质）：
______________________________________________________。
Ⅱ.CO的结构可表示为C≡O，N2的结构可表示为N≡N。
（5）下表是两者的键能数据：（单位：kJ/mol）
| A－B |
A=B |
A≡B |
|
| CO |
357.7 |
798.9 |
1071.9 |
| N2 |
154.8 |
418.4 |
941.7 |
结合数据说明CO比N2活泼的原因：________________________________。
Ⅲ．（6）基态Ni原子的核外电子排布式为。
IV．（7）Cu3N的晶胞结构如图，N3-的配位数为__________。
合成氨工艺的一个重要工序是铜洗，其目的是用铜液[醋酸二氨合铜（I）、氨水]吸收在生产过程中产生的CO和CO2等气体。铜液吸收CO的反应是放热反应，其反应方程式为：
Cu(NH3)2Ac＋CO＋NH3
[Cu(NH3)3CO]Ac
完成下列填空：
（1）如果要提高上述反应的反应速率，可以采取的措施是_________。（选填编号）
a.减压b.增加NH3的浓度c.升温 d.及时移走产物
（2）铜液中的氨可吸收二氧化碳，写出该反应的化学方程式______________________。
（3）简述铜液吸收CO及铜液再生的操作步骤（注明吸收和再生的条件）________________________
（4）铜液的组成元素中，短周期元素原子半径从大到小的排列顺序为____________________。其中氮元素原子最外层电子排布的轨道表达式是_________________________。通过比较_____________可判断氮、磷两种非金属元素的非金属性强弱。
（5）已知CS2与CO2分子结构相似，CS2的电子式是____________。CS2熔点高于CO2，其原因是__________。
X、Y、Z、M、G五种元素分属三个短周期，且原子序数依次增大。X、Z同主族，可形成离子化合物ZX；Y、M同主族，可形成MY2、MY3两种分子。
请回答下列问题：
（1）Y在元素周期表中的位置为________________。
（2）上述元素的最高价氧化物对应的水化物酸性最强的是_______________（写化学式），非金属气态氢化物还原性最强的是__________________（写化学式）。
（3）Y、G的单质或两元素之间形成的化合物可作水消毒剂的有_______（写出其中两种物质的化学式）。
（4）X2M的燃烧热ΔH＝ －a kJ·mol－1，写出X2M燃烧反应的热化学方程式：
____________________________________________。
（5）ZX的电子式为_______；ZX与水反应放出气体的化学方程式为___________________。
（6）熔融状态下，Z的单质和FeG2能组成可充电电池（装置示意图如下），反应原理为：
2Z + FeG2 
Fe + 2ZG ；放电时，电池的正极反应式为_____________________：充电时，_________（写物质名称）电极接电源的负极；该电池的电解质为____________。
原子序数依次增大的短周期元素a、b、c、d和e中，a的最外层电子数为其周期数的二倍；b和d的A2B型氢化物均为V型分子，c的+1价离子比e的﹣1价离子少8个电子．
回答下列问题：
（1）元素a为 ，c为 ；
（2）由这些元素形成的双原子分子为 ；
（3）由这些元素形成的三原子分子中，分子的空间结构属于直线型的是 ，非直线型的是 （写两种）；
（4）这些元素的单质或由它们形成的AB型化合物中，其晶体类型属于原子晶体的是 ，离子晶体的是 ，金属晶体的是 ，分子晶体的是 ；（每空填一种）
（5）元素a和b形成的一种化合物与c和d形成的一种化合物发生的反应常用于防毒面具，该反应的化学方程式为 ．
元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：
（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是 。
a．原子序数和离子半径均减小
b．金属性减弱，非金属性增强
c．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强
d．单质的熔点降低
（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为 ，氧化性最弱的简单阳离子是 。
（3）已知：
| 化合物 |
MgO |
Al2O3 |
MgCl2 |
AlCl3 |
| 类型 |
离子化合物 |
离子化合物 |
离子化合物 |
共价化合物 |
| 熔点/℃ |
2800 |
2050 |
714 |
191 |
工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是 ；
制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是 。
（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：
写出SiCl4的电子式： ；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式： 。
（5）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是 。
a．NH3b．HIc．SO2d．CO2
（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式： 。
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