高纯度的单晶硅是制做电子集成电路的基础材料。工业上制备高纯硅的化学反应原理为：

①SiO₂+2C $\frac{\underset{¯}{\mathit{高温}}}{}$Si+2CO↑②Si+3HCl $\frac{\underset{¯}{250℃}}{}$HSiCl₃+H₂③HSiCl₃+H₂ $\frac{\underset{¯}{\mathit{高温}}}{}$Si+3X

反应①制得粗硅，通过反应②③进一步得到高纯硅；三氯硅烷（HSiCl₃）的沸点是 31.8℃．下列有关说法不正确的是（　　）

A．反应③中X 的化学式为 HCl

B．三氯硅烷由氢、硅、氯三种元素组成

C．三氯硅烷中硅、氯元素的质量比为 1：3

D．反应②③实现了硅元素的富集，将粗硅转化为高纯硅