高纯度的单晶硅是制做电子集成电路的基础材料。工业上制备高纯硅

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高纯度的单晶硅是制做电子集成电路的基础材料。工业上制备高纯硅的化学反应原理为：

①SiO₂+2C $\frac{\underline{高温}}{}$ Si+2CO↑②Si+3HCl $\frac{\underline{250 ℃}}{}$ HSiCl₃+H₂③HSiCl₃+H₂ $\frac{\underline{高温}}{}$ Si+3X

反应①制得粗硅，通过反应②③进一步得到高纯硅；三氯硅烷（HSiCl₃）的沸点是 31.8℃．下列有关说法不正确的是（　　）

A．反应③中X 的化学式为 HCl

B．三氯硅烷由氢、硅、氯三种元素组成

C．三氯硅烷中硅、氯元素的质量比为 1：3

D．反应②③实现了硅元素的富集，将粗硅转化为高纯硅

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A．	该物质的碳、氢、氧元素的质量比为24∶38∶4
B．	该物质的分子中碳、氢、氧原子个数比12∶19∶2
C．	该物质的相对分子质量为76
D．	该物质中碳、氢、氧三种元素的质量分数有大到小的顺序为氢、碳、氧

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A．

蒸馏水

B．

自来水

C．

海水

D．

矿泉水

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