下列叙述Ⅰ和Ⅱ均正确且有因果关系的是
选项 |
叙述Ⅰ |
叙述Ⅱ |
A |
往AgNO3溶液中滴加氨水至过量,先有沉淀后溶解 |
AgOH是两性氢氧化物 |
B |
常温下,H2CO3的K1=4.4×10-7,HClO的K=2.98×10-8 |
用CO2与NaClO溶液制备HClO |
C |
硅的熔点高硬度大 |
晶体硅可用做半导体材料 |
D |
NO2溶于水生成HNO3 |
NO2是酸性氧化物 |
下列叙述Ⅰ和Ⅱ均正确且有因果关系的是
选项 |
叙述Ⅰ |
叙述Ⅱ |
A |
往AgNO3溶液中滴加氨水至过量,先有沉淀后溶解 |
AgOH是两性氢氧化物 |
B |
常温下,H2CO3的K1=4.4×10-7,HClO的K=2.98×10-8 |
用CO2与NaClO溶液制备HClO |
C |
硅的熔点高硬度大 |
晶体硅可用做半导体材料 |
D |
NO2溶于水生成HNO3 |
NO2是酸性氧化物 |