以沉淀法除去工业级偏钒酸铵(NH4VO3)中硅、磷元素杂质的流程如下:
(1)碱熔时,下列措施有利于NH3逸出的是 。
a.升温 b.加压 c.增大NaOH溶液浓度
(2)滤渣主要成分为Mg3(PO4)2、MgSiO3,已知Ksp[Mg3(PO4)2] = 6.4×10-26,Ksp(MgSiO3) = 2.3×10-5。若滤液中c(PO43-)≤10-6 mol·L-1,则c(Mg2+)至少为 mol·L-1。
(3)由图可知,加入一定量的MgSO4溶液作沉淀剂。随着温度升高,除磷率下降,其原因是Mg3(PO4)2溶解度增大、 ;随着温度升高,除硅率增大,其原因是 (用离子方程式表示)。
(4)沉钒时,反应温度需控制在50℃,在实验室可采取的措施为 。在此温度和pH=8的最佳条件下,探究NH4Cl的浓度对沉钒率的影响,设计实验步骤(常见试剂任选):取两份10 mL一定浓度的滤液A和B,分别加入1 mL和 10 mL的1 mol·L-1NH4Cl溶液,向 , 控制两份溶液温度均为50℃、pH均为8,由专用仪器测定沉钒率。(忽略混合过程中溶液体积的变化)
(5)高纯的偏钒酸铵灼烧可制备新型光电材料V2O5,该反应的化学方程式为 。