如图所示，一带电粒子电荷量为q=+2×10-10C,质量为m=1.0×10-12kg，从静止开始在电势差为U1的电场中加速后，从水平放置的电容器两极板正中央沿水平方向进入偏转电场，电容器的上极板带正电，电荷量为Q=6.0×10-9C，下极板接地，极板长10cm，两极板相距5cm，电容C=12pF（粒子重力不计）。求．：
（1）当U1=2000V时，粒子射出电容器的速率v和沿垂直于板面方向的偏移距离y；
（2）要使该粒子能从电容器中射出，加速电压U1的取值范围
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如图所示，矩形单匝导线框abcd竖直放置，其下方有一磁感应强度为B的有界匀强磁场区域，该区域的上边界PP’水平，并与线框的ab边平行，磁场方向与线框平面垂直。已知线框ab边长为L1，ad边长为L2，线框质量为m，总电阻为R。现无初速地释放线框，在下落过程中线框所在平面始终与磁场垂直，且线框的ab边始终与PP’平行。重力加速度为g。若线框恰好匀速进入磁场，求：
dc边刚进入磁场时，线框受安培力的大小F
dc边刚进入磁场时，线框速度的大小v
在线框从开始下落到ab边刚进入磁场的过程中，重力做的功W
如图所示，导体框架的平行导轨间距d=1m，框架平面与水平面夹角为
，匀强磁场方向垂直框架平面向上，且B=0.2T，导体捧ab的质量m=0.2kg，R=0.1
，水平跨在导轨上，且可无摩擦滑动(g取10m／s2)，求；
ab 下滑的最大速度；
以最大速度下滑时，ab棒上的电热功率
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