四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法，有关反应的化学方程式为：
SiCl4＋2H2
4HCl＋Si
下列说法不合理的是
| A．反应制得的硅可用于制造半导体材料 |
| B．增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率 |
| C．四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得 |
| D．混入少量空气对上述反应无影响 |
相关试题
下表所示为部分短周期元素的原子半径及主要化合价，根据表中信息判断下列叙述不正确的是
| 元素代号 |
A |
B |
C |
D |
E |
F |
G |
| 原子半径/nm |
0.182 |
0.160 |
0.089 |
0.143 |
0.102 |
0.099 |
0.071 |
| 主要化合价 |
＋1 |
＋2 |
＋2 |
＋3 |
＋6．－2 |
－1 |
－1 |
A．气态氢化物的稳定性HG＞HF＞H2E
B．B2＋、D3＋、E2－、G－四种离子的核外电子排布相同
C．A、E元素与氧元素可以形成三种常见的含氧酸盐
D．C元素的原子最外层电子数等于电子层数
一定温度下，在2L恒容密闭容器中发生反应：2N2O5(g)
4NO2(g)+ O2(g)△H﹥0。反应物和部分生成物的物质的量随反应时间变化的曲线如图所示，下列说法正确的是
| A．10min时，反应达到平衡 |
| B．达到平衡时N2O5的转化率为60% |
| C．0～20min内平均反应速率v(N2O5)=0.05mol∙L－1∙min－1 |
| D．曲线a表示NO2的物质的量随反应时间的变化 |
元素R、X、T、Z、Q在元素周期表中的相对位置如图所示， 其中T单质和H2在光照的条件下发生爆炸。则下列判断正确的是
| A．五种元素中Z的活动性最弱，T 的氧化物对应水化合物酸性最强 |
| B．氢化物的稳定性：R＞Q＞X；R＞T＞X |
| C．Q单质能从溶液中置换出X单质，R单质能从溶液中置换出T单质 |
| D．X阴离子和T阴离子相比，半径：X阴离子的大；还原性：T阴离子的强 |
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