冶炼金属常用以下几种方法：①以C、CO或H2做还原剂 ②以活泼金属Na、Mg等还原 ③利用铝热反应原理还原 ④电解法 ⑤热分解法。下列金属各采用哪种方法还原最佳。（用序号填写下列空白。）
（1）Fe、Zn、Cu等中等活泼金属 。
（2）Na、Mg、Al等活泼或较活泼金属 。
（3）Hg、Ag等不活泼金属 。
废旧锂离子池的正极材料(主要含有LiCoO2及少量的Al、Fe等)可用于回收钴、锂，工艺流程如下：
(1)在上述溶解过程中，S2O32-被氧化成SO42-，LiCoO2在溶解过程中发生反应的化学方程式为 ，还原产物是 。
(2)在上述除杂过程中，通入空气的作用是 废渣的主要成分是 。
(3)“沉淀钴”和“沉淀锂”的离子方程式分别为 。
(4)除了废渣可以回收利用外，本工艺还可回收的副产品是 。
X、Y、Z、W是元素周期表中原子序数依次增大的四种短周期，其相关信息如下表：
| 元素 |
相关信息 |
| X |
X的最高价氧化物对应的水化物化学式为H2XO3 |
| Y |
Y是地壳中含量最高的元素 |
| Z |
Z的基态原子最外层电子排布式为3s23p1 |
| W |
W的一种核素的质量数为28，中子数为14 |
(1)W位于元素周期表第 周期第 族；W的原子半径比X的
(填“大”或“小”)。
(2)Z的第一电离能比W的 (填“大”或“小”)；XY2由固态变为气态所需克服的微粒间作用力是 。氢元素、X、Y的原子可共同形成多种分子，写出其中一种能形成同种分子间氢键的物质名称 。
(3)振荡下，向Z单质与盐酸反应后的无色溶液中滴加NaOH溶液直至过量，能观察到的现象是 ；W的单质与氢氟酸反应生成两种无色气体，该反应的化学方程式是 。
(4)在25℃、101kPa下，已知13.5g的Z固体单质在Y2气体中完全燃烧后恢复至原状态，放热419kJ，该反应的热化学方程式是 。
已知：
为合成某种液晶材料中间体M，有人提出如下不同的合成途径：
(1)常温下，下列物质能与A发生反应的有 (填序号)
a．苯 b．Br2/CCl4 c．乙酸乙酯 d．KMnO4/H+溶液
(2)M中官能团的名称是 ，由C→B反应类型 。
(3)由A催化加氢生成M的过程中，可能有中间生成物
和 (写结构简式)生成。
(4)检验B中是否含有C可选用试剂是 (任写一种名称)。
(5)物质B也可由C10H13Cl与NaOH水溶液共热生成，C10H13Cl的结构简式
(6)C的一种同分异构体E具有如下特点：
a．分子中含-OCH2CH3 b．苯环上只有两种化学环境不同的氢原子
写出E在一定条件下发生加聚反应的化学方程式 。
硅在地壳中的含量较高。硅及其化合物的开发由来已久，在现代生活中有广泛应用。回答下列问题：
(1)1810年瑞典化学家贝采利乌斯在加热石英砂、木炭和铁时，得到一种“金属”。这种“金属”可能是 。
(2)陶瓷、水泥和玻璃是常用的硅酸盐材料。其中，生产普通玻璃的主要原料有 。
(3)高纯硅是现代信息、半导体和光伏发电等产业都需要的基础材料。工业上提纯硅有多种路线，其中一种工艺流程示意图及主要反应如下：
①用石英砂和焦炭在电弧炉中高温加热也可以生产碳化硅，该反应的化学方程式为 ；碳化硅又称 ，其晶体结构与 相似。
②在流化床反应的产物中，SiHCl3大约占85%，还有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等，有关物质的沸点数据如下表，提纯SiHCl3的主要工艺操作依次是沉降、冷凝和 。
| 物质 |
Si |
SiCl4 |
SiHCl3 |
SiH2Cl2 |
SiH3Cl |
HCl |
SiH4 |
| 沸点/℃ |
2355 |
57.6 |
31.8 |
8.2 |
-30.4 |
-84.9 |
-111.9 |
③SiHCl3极易水解，其完全水解的产物为 。
(4)氯碱工业可为上述工艺生产提供部分原料，这些原料是 。
请回答下列问题：
(1)N、Al、Si、Zn四种元素中，有一种元素的电离能数据如下：
| 电离能 I1 I2 I3 I4 … |
| In/kJ．mol-1 578 1817 2745 11578 … |
则该元素是 (填写元素符号)。
(2)基态锗(Ge)原子的电子排布式是 ，Ge的最高价氯化物分子式是 ，该元素可能的性质或应用有 ；
A．是一种活泼的金属元素 B．其电负性大于硫
C．其单质可作为半导体材料 D．其最高价氯化物的沸点低于其溴化物的沸点
(3)关于化合物
，下列叙述正确的有
A．分子间可形成氢键
B．分子中既有极性键又有非极性键
C．分子中有7个σ键和1个π键
D．该分子在水中的溶解度大于2-丁烯
(4)NaF的熔点 
的熔点(填＞、=或＜)，其原因是 。
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