一个质点在x轴上运动，各个时刻的位置如下（质点在每一秒内都做单向直线运动）
| 时 刻/s |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
| 位置坐标/m |
0 |
5 |
－4 |
－1 |
－7 |
物体在几秒内位移最大：
A．0～1s内 B．0～2s内 C．0～3s内 D．0～4s内
物体在第几秒内位移最大：
A．第1s内 B．第2s内 C．第3s内 D．第4s内
相关试题
关于磁感应强度，下列说法正确的是( )
A．由B＝ 可知，磁场中某处的磁感应强度大小随通电导线中电流I的减小而增大 |
| B．由B＝可知，磁场中某处的磁感应强度大小随通电导线所受磁场力F的增大而增大 |
| C．通电导线所受的磁场力为零，该处的磁感应强度不一定为零 |
| D．放置在磁场中1 m长的通电导线，通过1 A的电流受到的力为1 N，则该处的磁感应强度就是1 T |
如图所示，条形磁铁放在水平桌面上，在其正中央的上方固定一根长直导线，导线与磁铁垂直，给导线通以垂直纸面向外的电流，则 （ ）
| A．磁铁对桌面压力减小，不受桌面的摩擦力作用 |
| B．磁铁对桌面压力减小，受到桌面的摩擦力作用 |
| C．磁铁对桌面压力增大，不受桌面的摩擦力作用 |
| D．磁铁对桌面压力增大，受到桌面的摩擦力作用 |
磁铁在高温下或者受到敲击时会失去磁性，根据安培的分子电流假说，其原因是（）
| A．分子电流消失 | B．分子电流的取向变得大致相同 |
| C．分子电流的取向变得杂乱 | D．分子电流的强度减弱 |
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