用一种试剂除去下列各物质中的杂质(括号内为杂质)，并写出反应的离子方程式。
（1）FeSO4(CuSO4)：
所需试剂(填化学式) ，所涉及的离子方程式： 。
（2）O2（CO2）：
所需试剂(填化学式) ，所涉及的离子方程式： 。
原子序数依次增大的短周期元素a、b、c、d和e中，a的最外层电子数为其周期数的二倍；b和d的A2B型氢化物均为V型分子，c的+1价离子比e的﹣1价离子少8个电子．
回答下列问题：
（1）元素a为 ，c为 ；
（2）由这些元素形成的双原子分子为 ；
（3）由这些元素形成的三原子分子中，分子的空间结构属于直线型的是 ，非直线型的是 （写两种）；
（4）这些元素的单质或由它们形成的AB型化合物中，其晶体类型属于原子晶体的是 ，离子晶体的是 ，金属晶体的是 ，分子晶体的是 ；（每空填一种）
（5）元素a和b形成的一种化合物与c和d形成的一种化合物发生的反应常用于防毒面具，该反应的化学方程式为 ．
元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：
（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是 。
a．原子序数和离子半径均减小
b．金属性减弱，非金属性增强
c．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强
d．单质的熔点降低
（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为 ，氧化性最弱的简单阳离子是 。
（3）已知：
| 化合物 |
MgO |
Al2O3 |
MgCl2 |
AlCl3 |
| 类型 |
离子化合物 |
离子化合物 |
离子化合物 |
共价化合物 |
| 熔点/℃ |
2800 |
2050 |
714 |
191 |
工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是 ；
制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是 。
（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：
写出SiCl4的电子式： ；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式： 。
（5）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是 。
a．NH3 b．HI c．SO2 d．CO2
（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式： 。
A、B、D、E、F为短周期元素，非金属元素A最外层电子数与其周期数相同，B的最外层电子数是其所在周期数的2倍。B 在D中充分燃烧能生成其最高价化合物BD2。E＋与D2－具有相同的电子数。A在F中燃烧，产物溶于水得到一种强酸。回答下列问题：
（1）A在周期表中的位置是 ，写出一种工业制备单质F的离子方程式 。
（2）B、D、E组成的一种盐中，E的质量分数为43%，其俗名为 ，其水溶液与F单质反应的化学方程式为 ；在产物中加入少量KI，反应后加人CC14并振荡，有机层显 色。
（3）由这些元素组成的物质，其组成和结构信息如下表：
| 物质 |
组成和结构信息 |
| a |
含有A的二元离子化合物 |
| b |
含有非极性共价键的二元离子化合物，且原子数之比为1:1 |
| c |
化学组成为BDF2 |
| d |
只存在一种类型作用力且可导电的单质晶体 |
a的化学式为 ；b的化学式为 ；c的电子式为 ；
d的晶体类型是 。
（4）由A和B、D元素组成的两种二元化合物形成一类新能源物质。一种化合物分子通过 键构成具有空腔的固体；另一种化合物(沼气的主要成分)分子进入该空腔，其分子的空间结构为 。
元素周期表中第ⅦA族元素的单质及其化合物的用途广泛。
（1）与氯元素同族的短周期元素的原子结构示意图为 。
（2）能作为氯、溴、碘元素非金属性(原子得电子能力)递变规律的判断依据是 (填序号)。
a．Cl2、Br2、I2的熔点
b．Cl2、Br2、I2的氧化性
c．HCl、HBr、HI的热稳定性
d．HCl、HBr、HI的酸性
（3）工业上，通过如下转化可制得KClO3晶体：
NaCl溶液
NaClO3溶液
KClO3晶体
①完成I中反应的总化学方程式：□NaCl＋□H2O＝□NaClO3＋□ 。
②Ⅱ中转化的基本反应类型是 ，该反应过程能析出KClO3晶体而无其它晶体析出的原因是 。
（4）一定条件，在水溶液中1 mol Cl－、ClO－(x＝1，2，3，4)的能量(KJ)相对大小如图所示。
①D是 (填离子符号)。
②B→A＋C反应的热化学方程式为 (用离子符号表示)。
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