砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等.回答下列问题:
(1)写出基态As原子的核外电子排布式________.
(2)根据元素周期律,原子半径Ga________As,第一电离能Ga________As.(填"大于"或"小于")
(3)
分子的立体构型为________,其中As的杂化轨道类型为________.
(4)
的熔点高于1000℃,
的熔点为77.9℃,其原因是________.
(5)GaAs的熔点为1238℃,密度为
, 其晶胞结构如图所示.
该晶体的类型为________,Ga与As以________键键合.Ga和As的摩尔质量分别为
和
, 原子半径分别为
和
,阿伏伽德罗常数值为
,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为________.