单晶硅是制作电子集成电路的基础材料。科学家预计,到2011年一个电脑芯片上将会集成10亿个晶体管,其功能远比我们想象的要大的多,这对硅的纯度要求很高。用化学方法可制得高纯度硅,其化学方程式为: ①SiO2 + 2CSi + 2CO ②Si + 2Cl2SiCl4 ③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl,其中反应①和③属于( )
(10分)金属镍及其化合物在合金材料以及催化剂等方面应用广泛。 (1)基态镍原子的外围电子排布式为。 (2)金属镍能与CO形成配合物Ni(CO)4,写出与CO互为等电子体的一种分子和一种离子的化学式、。 (3)很多不饱和有机物在Ni催化下可与H2发生加成反应。 如①CH2=CH2、②HC≡CH、③、④HCHO,其中碳原子采取sp2杂化的分子有 (填物质序号),HCHO分子的立体结构为形。 (4)金属镍与镧(La)形成的合金是一种良好的储氢材料,其晶胞结构示意图如左下图所示。该合金的化学式为。 (5)丁二酮肟常用于检验Ni2+:在稀氨水中,丁二酮肟与Ni2+反应生成鲜红色沉淀,其结构如上右图所示。该结构中,除共价键外还存在配位键和氢键,请在图中用箭头和“…”表示出配位键和氢键。
氮的最高价氧化物为无色晶体,它由两种离子构成,已知其阴离子构型为平面三角形,则其阳离子的构型和阳离子中氮的杂化方式为
由第一电离能数据推断,最有可能生成稳定的单核阳离子的元素是
A.氟 B.氯 C.溴 D.碘
HNO3中N原子轨道的杂化类型为
下列晶体熔沸点由高到低的顺序正确的是 ①SiC ②Si ③HCl ④HBr ⑤HI ⑥CO ⑦N2 ⑧H2