单晶硅是制作电子集成电路的基础材料。科学家预计，到2011年一个电脑芯片上将会集成10亿个晶体管，其功能远比我们想象的要大的多，这对硅的纯度要求很高。用化学方法可制得高纯度硅，其化学方程式为： ①SiO2 + 2C
Si + 2CO
②Si + 2Cl2
SiCl4 ③SiCl4 + 2H2
Si + 4HCl，其中反应①和③属于（ ）
| A．化合反应 | B．分解反应 |
| C．置换反应 | D．复分解反应 |
相关试题
反应C(s) +H2O(g)
CO(g) +H2(g)在一可变容积的密闭容器中进行，下列条件的改变对其反应速率几乎无影响的是（）
| A．增加C的量 |
| B．将容器的体积缩小一半 |
| C．保持体积不变，充入N2使体系压强增大 |
| D．保持压强不变，充入N2使体系体积增大 |
在下图所示装置中，试管A、B中的电极为多孔的惰性电极；C、D为两个铂夹，夹在被Na2SO4溶液浸湿的滤纸条上，滤纸条的中部滴有KMnO4液滴；电源有a、b两极。若在A、B中充满KOH溶液后倒立于盛KOH溶液的水槽中，切断K1，闭合K2.K3，通直流电，实验现象如图所示。下列说法正确的是（）
A．电源中a为正极，b为负极
B．试管A中的电极反应式为：2H＋＋2e－＝H2↑
C．一段时间后滤纸条上紫红色向C处移动
D．电解一段时间后，切断K2.K3，闭合K1，电流计的指针会发生偏转
下列事实不能用电化学原理解释的是（）
| A．轮船水线以下的船壳上装有一定数量的锌块 |
| B．铝片不用特殊方法保护 |
| C．纯锌与稀H2SO4反应时，滴入少量硫酸铜溶液后迅速增大 |
| D．镀锌铁比镀锡铁耐用 |
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