单晶硅是制作电子集成电路的基础材料。科学家预计，到2011年一个电脑芯片上将会集成10亿个晶体管，其功能远比我们想象的要大的多，这对硅的纯度要求很高。用化学方法可制得高纯度硅，其化学方程式为： ①SiO2 + 2C
Si + 2CO
②Si + 2Cl2
SiCl4 ③SiCl4 + 2H2
Si + 4HCl，其中反应①和③属于（ ）
| A．化合反应 | B．分解反应 |
| C．置换反应 | D．复分解反应 |
相关试题
下列操作中错误的是( )
| A．除去乙酸乙酯中的少量乙酸:加入乙醇和浓硫酸,使乙酸全部转化为乙酸乙酯 |
| B．除去苯中的少量苯酚:加入NaOH溶液,振荡、静置分层后，除去水层 |
| C．除去CO2中的少量SO2：通过盛有饱和NaHCO3溶液的洗气瓶 |
| D．提取溶解在水中的少量碘：加入CCl4，振荡、静置分层后，取出有机层再分离 |
用于2008年北京奥运会的国家游泳中心（水立方）的建筑采用了膜材料ETFE，该材料为四氟乙烯与乙烯的共聚物，四氟乙烯也可与六氟丙烯共聚成聚全氟乙丙烯。下列说法错误的是（）
| A．ETFE分子中可能存在“—CH2—CH2—CF2—CF2—”的连接方式 | |
B．合成ETFE及合成聚全氟乙丙烯的反应均为加聚反应 |
C．聚全氟乙丙烯分子的结构简式可能为 [ CF2—CF2—CF2—CF—CF3 ]n |
| D．四氟乙烯分子中即含有极性键又含有非极性键 |
下列物质的熔沸点高低顺序正确的是（）
| A．金刚石＞晶体硅＞碳化硅 | B．CI4＞CBr4＞CCl4＞CH4 |
| C．MgO＞H2O＞O2＞H2＞N2 | D．金刚石＞钠＞镁＞铝 |
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