如图所示的装置，左半部为速度选择器，右半部为匀强的偏转电场。一束同位素离子流从狭缝$S_1$射入速度选择器，能够沿直线通过速度选择器并从狭缝$S_2$射出的离子，又沿着与电场垂直的方向，立即进入场强大小为$E$的偏转电场，最后打在照相底片$D$上。已知同位素离子的电荷量为$q\left(q>0\right)$，速度选择器内部存在着相互垂直的场强大小为$E_0$的匀强电场和磁感应强度大小为$B_0$的匀强磁场，照相底片$D$与狭缝$S_1$、$S_2$的连线平行且距离为$L$，忽略重力的影响。

(1)求从狭缝$S_2$射出的离子速度$v_0$的大小；
(2)若打在照相底片上的离子在偏转电场中沿速度$v_0$方向飞行的距离为$x$，求出$x$与离子质量$m$之间的关系式(用$E_0，B_0,E,q,m,L$表示)。