S1漂入电势差为U的匀强电场，被加速后经孔S2、S3垂直于磁场方向（该方向垂直于纸面）进入磁感应强度为B的匀强磁场。在磁场中离子沿虚线所示轨迹运动，最后打在照相底片上的D处。
（1）求出离子经孔S2进入磁场时的速率。
（2）求出D位置到孔S3的距离。
相关试题
如图3-8所示，一单匝矩形线圈边长分别为
、b，电阻为R，质量为m，从距离有界磁场边界
高处由静止释放，试讨论并定性作出线圈进入磁场过程中感应电流随线圈下落高度的可能变化规律。
S1漂入电势差为U的匀强电场，被加速后经孔S2、S3垂直于磁场方向（该方向垂直于纸面）进入磁感应强度为B的匀强磁场。在磁场中离子沿虚线所示轨迹运动，最后打在照相底片上的D处。
（1）求出离子经孔S2进入磁场时的速率。
（2）求出D位置到孔S3的距离。
如图3-8所示，一单匝矩形线圈边长分别为、b，电阻为R，质量为m，从距离有界磁场边界高处由静止释放，试讨论并定性作出线圈进入磁场过程中感应电流随线圈下落高度的可能变化规律。
，带电量为q的正电荷，与杆间的动摩擦因数为
，若使环以初速度
向右运动，试分析绝缘环克服摩擦力所做的功。
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