如图所示装置中，当cd杆运动时，ab杆中的电流方向由a向b，则cd杆的运动可能是（ ）
| A．向右加速运动 |
| B．向右减速运动 |
| C．向左匀速运动 |
| D．向左减速运动 |
穿过某线圈的磁通量随时间变化的关系如图所示，在下列几段时间内，线圈中感应电动势最小的是( )
| A．0～2 s | B．2 s～4 s |
| C．4 s～5 s | D．5 s～10 s |
如图所示，将一条形磁铁N极向下插入一闭合的螺线管中的过程中，螺线管中产生感应电流，则下列说法正确的是（ ）
| A．螺线管的磁通量不变 |
| B．电流表中无电流流过 |
| C．电流表中有电流流过，方向由上向下 |
| D．电流表中有电流流过，方向由下向上 |
如图所示，在电容器C的两端接有一个圆环形导体回路，在圆环回路所围的面积之内存在着垂直纸面向里的匀强磁场B，已知圆环的半径r=5cm，电容器的电容C=20
F，当磁场B以2×10－2T／s的变化率均匀增加时，则电容器的
A．a板带正电，电荷量为 ×10－9C |
| B．a板带负电，电荷量为－×10－9C |
| C．a板带正电，电荷量为×10－6C |
| D．a板带负电，电荷量为－×10－6C |
如图所示，平行金属导轨与水平面成θ角，导轨与固定电阻R1和R2相连，匀强磁场垂直穿过导轨平面．有一导体棒ab，质量为m，导体棒的电阻与固定电阻R1和R2的阻值均相等，与导轨之间的动摩擦因数为μ，导体棒ab沿导轨向上滑动，当上滑的速度为v时，受到安培力的大小为F．此时
| A．电阻R1消耗的热功率为Fv／3 |
| B．电阻 R1消耗的热功率为 Fv／6 |
| C．整个装置因摩擦而消耗的热功率为μmgvcosθ． |
| D．整个装置消耗的机械功率为（F＋μmgcosθ）v· |
粗细均匀的电阻丝围成的正方形线框置于有界匀强磁场中，磁场方向垂直于线框平面，其边界与正方形线框的边平行．现使线框以同样大小的速度沿四个不同方向平移出磁场，如图9－3－11所示，则在移出过程中线框的一边a、b两点间电势差绝对值最大的是( )
图9－3－11
某输电线路横穿公路时，要在地下埋线通过，为了保护线路不至于被压坏，预先铺设结实的过路钢管，再让输电线从钢管中穿过．电线穿管的方案有两种：甲方案是铺设两根钢管，两条输电线分别从两根钢管中穿过；乙方案是只铺设一根钢管，两条输电线都从这一根钢管中穿过，如图12所示．如果输电导线输送的电流很大，那么，以下说法正确的是 ( )
| A．无论输送的电流是恒定电流还是交变电流，甲、乙两方案都是可行的 |
| B．若输送的电流是恒定电流，甲、乙两方案都是可行的 |
| C．若输送的电流是交变电流，乙方案是可行的，甲方案是不可行的 |
| D．若输送的电流是交变电流，甲方案是可行的，乙方案是不可行的 |
如图10所示，竖直平面内的虚线上方是一匀强磁场B，从虚线下方竖直上抛一正方形线圈，线圈越过虚线进入磁场，最后又落回原处，运动过程中线圈平面保持在竖直平面内，不计空气阻力，则 ( )
| A．上升过程克服磁场力做的功大于下降过程克服磁场力做的功 |
| B．上升过程克服磁场力做的功等于下降过程克服磁场力做的功 |
| C．上升过程克服重力做功的平均功率大于下降过程中重力的平均功率 |
| D．上升过程克服重力做功的平均功率等于下降过程中重力的平均功率 |
如图6所示，闭合导线框的质量可以忽略不计，将它从如图所示位置匀速向右拉出匀强磁场．若第一次用0.3 s拉出，外力所做的功为W1，通过导线横截面的电荷量为q1；第二次用0.9 s拉出，外力所做的功为W2，通过导线横截面的电荷量为q2，则 ( )
| A．W1＜W2，q1＜q2 | B．W1＜W2，q1＝q2 |
| C．W1＞W2，q1＝q2 | D．W1＞W2，q1＞q2 |
如图5所示，水平光滑的平行金属导轨，左端接有电阻R，匀强磁场B竖直向下分布在导轨所在的空间内，质量一定的金属棒PQ垂直导轨放置．今使棒以一定的初速度v0向右运动，当其通过位置a、b时，速率分别为va、vb，到位置c时棒刚好静止，设导轨与棒的电阻均不计，a到b与b到c的间距相等，则金属棒在由a到b和由b到c的两个过程中 ( )
| A．回路中产生的内能相等 |
| B．棒运动的加速度相等 |
| C．安培力做功相等 |
| D．通过棒横截面积的电荷量相等 |
如图2所示，用粗细相同的铜丝做成边长分别为L和2L的两只闭合线框a和b，以相同的速度从磁感应强度为B的匀强磁场区域中匀速地拉到磁场外，不考虑线框的动能，若外力对环做的功分别为Wa、Wb，则Wa∶Wb为 ( )
| A．1∶4 | B．1∶2 |
| C．1∶1 | D．不能确定 |
如图9所示，光滑的“∏”形金属导体框竖直放置，质量为m的金属棒MN与框架接触良好．磁感应强度分别为B1、B2的有界匀强磁场方向相反，但均垂直于框架平面，分别处在abcd和cdef区域．现从图示位置由静止释放金属棒MN，当金属棒进入磁场B1区域后，恰好做匀速运动．以下说法中正确的有( )
| A．若B2＝B1，金属棒进入B2区域后将加速下滑 |
| B．若B2＝B1，金属棒进入B2区域后仍将保持匀速下滑 |
| C．若B2<B1，金属棒进入B2区域后可能先加速后匀速下滑 |
| D．若B2>B1，金属棒进入B2区域后可能先减速后匀速下滑 |
如图8所示，垂直纸面的正方形匀强磁场区域内，有一位于纸面且电阻均匀的正方形导体框abcd，现将导体框分别朝两个方向以v、3v速度匀速拉出磁场，则导体框从两个方向移出磁场的两过程中 ( ) 
| A．导体框中产生的感应电流方向相同 |
| B．导体框中产生的焦耳热相同 |
| C．导体框ad边两端电势差相同 |
| D．通过导体框截面的电荷量相同 |
如图所示，长为L的金属导线弯成一圆环，导线的两端接在电容为C的平行板电容器上，P、Q为电容器的两个极板，磁场垂直于环面向里，磁感应强度以B＝B0＋Kt(K>0)随时间变化，t＝0时，P、Q两板电势相等．两板间的距离远小于环的半径，经时间t，电容器P板 ( )
| A．不带电 |
| B．所带电荷量与t成正比 |
C．带正电，电荷量是 |
| D．带负电，电荷量是 |
(14分)如图12所示，固定于水平面上的金属架CDEF处在竖直向下的匀强磁场中，金属棒MN沿框架以速度v向右做匀速运动．t＝0时，磁感应强度为B0，此时MN到达的位置使MDEN构成一个边长为l的正方形．为使MN棒中不产生感应电流，从t＝0开始，磁感应强度B应怎样随时间t变化？请推导出这种情况下B与t的关系式．
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