集成电路应用广泛，集成度越来越高，现在集成电路的集成度已达几亿个元件，目前科学家们正朝着集成度突破10亿个元件的目标迈进，集成度越高，各种电子元件越微型化，如图甲是我国自行研制成功的中央处理器（CPU）芯片“龙芯”1号，下图乙中，R1和R2是材料相同、厚度相同、表面为正方形的导体，但R2的尺寸远远小于R1的尺寸，通过两导体的电流方向如图乙所示，则这两个导体的电阻R1、R2的关系正确的是
A． |
B． |
C． |
D．无法确定 |
相关试题
以下说法中正确的是（ ）
| A．磁极和磁极间的相互作用是通过磁场发生的 |
| B．电流和电流间的相互作用是通过电场产生的 |
| C．磁极和电流间的作用是通过电场和磁场而共同产生的 |
| D．磁场和电场是同一种物质 |
电子e以垂直于匀强磁场的速度v，从a点进入长为d、宽为L的磁场区域，偏转后从b点离开磁场，如图所示，若磁场的磁感应强度为B，那么（ ）
| A．电子在磁场中的运动时间t="d/v" | B．电子在磁场中的运动时间t= |
| C．洛伦兹力对电子做的功是W="BevL" | D．电子在b点的速度值也为v |
右图是电视机显像管的偏转线圈的示意图，线圈中心O处的圆点表示电子枪射出的电子，它的方向由纸内垂直指向纸外，当偏转线圈中的电流方向如图所示时，电子束应…（ ）
| A．向左偏转 | B．向上偏转 |
| C．向下偏转 | D．不偏转 |
一电子在磁感应强度为B的匀强磁场中，以一固定的正电荷为圆心做匀速圆周运动，已知磁场方向垂直于运动平面，电场力恰好是磁场作用在电子上的洛伦兹力的3倍，电子电荷量为e，质量为m，那么电子运动的可能角速度为（ ）
| A．4Be/m | B．3Be/m | C．2Be/m | D．Be/m |
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