如图所示，甲分子固定在坐标原点O上，乙分子位于r轴上距原点r3的位置。虚线分别表示分子间斥力F斥和引力F引的变化情况，实线表示分子间的斥力和引力的合力变化情况。若把乙分子由静止释放，则乙分子( )
| A．从r3到r1做加速运动，从r1向O做减速运动 |
| B．从r3到r2做加速运动，从r2向r1做减速运动 |
| C．从r3到r1，分子势能先减小后增加 |
| D．从r3到r1，分子势能先增加后减小 |
相关试题
以下关于磁场和磁感应强度B的说法，正确的是（ ）
A．磁场中某点的磁感应强度，根据公式B＝ ，它跟F、I、l都有关 |
| B．磁场中某点的磁感应强度的方向垂直于该点的磁场方向 |
| C．穿过线圈的磁通量为零的地方，磁感应强度不一定为零 |
| D．磁感应强度越大的地方，穿过线圈的磁通量也一定越大 |
如图所示空间的某一区域内存在着相互垂直的匀强电场和匀强磁场，一个带电粒子以某一初速度由A点进入这个区域沿直线运动，从C点离开区域；如果这个区域只有电场，则粒子从B点离开场区；如果这个区域只有磁场，则粒子从D点离开场区；设粒子在上述三种情况下，从A到B点、A到C点和A到D点所用的时间分别是t1、t2和t3，比较t1、t2和t3的大小，则有(粒子重力忽略不计) [ ]
A． |
B． |
C． |
D． |
边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图所示的有界匀强磁场区域，磁场区域的宽度为
．已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零，则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，有 [ ]
| A．产生的感应电流方向相反 |
| B．所受的安培力方向相反 |
| C．进入磁场过程的时间等于穿出磁场过程的时间 |
| D．进入磁场过程的发热量等于穿出磁场过程的发热量 |
如图所示，ABC为与匀强磁场垂直的边长为
的等边三角形，比荷为
的电子以速度
0从A点沿AB边出射，欲使电子经过BC边，则磁感应强度B的取值为 [ ]
A． |
B． |
C． |
D． |
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