如图所示，以直角三角形AOC 为边界的有界匀强磁场区域，磁感应强度为B，∠A=60°，AO= a。在O 点放置一个粒子源，可以向各个方向发射某种带负电粒子，粒子的比荷为
，发射速度大小都为v0，且满足
，发射方向由图中的角度θ表示。对于粒子进入磁场后的运动（不计重力作用），下列说法正确的是
A．粒子在磁场中运动最长时间为 |
B．粒子在磁场中运动最短时间为 |
| C．在AC 边界上只有一半区域有粒子射出 |
| D．在三角形AOC边界上，有粒子射出的边界线总长为2a |
相关试题
下列说法正确的是( )
| A．电场中某点的电场强度在数值上等于单位正电荷在该点受到的电场力大小 |
| B．电场线并不真实存在，它其实是电荷只在电场力作用下的运动轨迹 |
| C．电荷在某点的电势能，等于把它从该点移到零电势位置电场力做的功 |
| D．以无穷远处为零电势，负检验电荷在正点电荷附近的电势能总是负的 |
由欧姆定律I＝
导出U＝IR和R＝
，下列叙述中正确的是( )
| A．导体的电阻跟导体两端的电压成正比，跟导体中的电流成反比 |
| B．导体的电阻由导体本身的物理条件决定，跟导体两端的电压及流过导体的电流的大小无关 |
| C．对确定的导体，其两端电压和流过它的电流的比值就是它的电阻值 |
| D．一定的电流流过导体，电阻越大，其电压就越大 |
以下对“静电场”一章中几个公式的理解，错误的是：
| A．公式C=Q/U指出，电容器的电容随电容器所带电荷量Q的增加而增加 |
| B．由E=U/d可知，同一个电容器两板电势差U越大时板内电场强度E越大 |
| C．在公式F=kq1q2/r2中，kq2/r2是q1所在位置的电场强度的大小 |
| D．公式WAB=qUAB中，电荷q沿不同路径从A点移动到B点，静电力做功不同 |
如图所示的电路中，当半导体材料做成的热敏电阻浸泡到热水中时，电流表示数增大，则说明
| A．热敏电阻在温度越高时，电阻越大 |
| B．热敏电阻在温度越高时，电阻越小 |
| C．半导体材料温度升高时，导电性能变差 |
| D．半导体材料温度升高时，导电性能变好 |
和
对于任何静电场都是适用的
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