如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场。一个正方形线框边长为l(d>l),质量为m,电阻为R。开始时, 线框的下边缘到磁场上边缘的距离为h。将线框由静止释放,其下边缘刚进入磁场时,线框的加速度恰为零。则线框进入磁场的过程和从磁场下边穿出磁场的过程相比较,有( )
A.产生的感应电流的方向相同 |
B.所受的安培力的方向相反 |
C.进入磁场的过程中产生的热量小于穿出磁场的过程中产生的热量 |
D.进入磁场过程所用的时间大于穿出磁场过程中所用的时间 |
相关知识点
如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场。一个正方形线框边长为l(d>l),质量为m,电阻为R。开始时, 线框的下边缘到磁场上边缘的距离为h。将线框由静止释放,其下边缘刚进入磁场时,线框的加速度恰为零。则线框进入磁场的过程和从磁场下边穿出磁场的过程相比较,有( )
A.产生的感应电流的方向相同 |
B.所受的安培力的方向相反 |
C.进入磁场的过程中产生的热量小于穿出磁场的过程中产生的热量 |
D.进入磁场过程所用的时间大于穿出磁场过程中所用的时间 |