集成电路应用广泛、集成度越来越高，现在集成电路的集成度已达几亿个元件，目前科学家们正朝着集成度突破10亿个元件的目标迈进，集成度越高，各种电子元件越微型化，如图一是我国自行研制成功的中央处理器（CPU）芯片“龙芯”1号，如图二中，R1和R2是材料相同、厚度相同、表面为正方形的导体，但R2的尺寸远远小于R1的尺寸，通过两导体的电流方向如图2，则这两个导体的电阻R1、R2的关系说法正确的是（ ）
| A．R1＞R2 | B．R1＜R2 | C．R1=R2 | D．无法确定 |
如图所示，一个质量为m的圆环套在一根固定的水平直杆上，杆足够长，环与杆的动摩擦因数为μ。现给环一个向右的初速度v0，如果在运动过程中还受到一个方向始终竖直向上的力F，F＝kv（k为常数，v为环的速率），则环在整个运动过程中克服摩擦力所做的功不可能为
A． |
B． |
| C．0 | D． |
如图所示，一个电荷量为-Q的点电荷甲，固定在绝缘水平面上的O点。另一个电荷量为+q、质量为m的点电荷乙，从A点以初速度v0沿它们的连线向甲运动，运动到B点时速度为v，且为运动过程中速度的最小值。已知点电荷乙受到的阻力大小恒为f，AB间距离为L0，静电力常量为k，则下列说法正确的是
| A．点电荷乙从A点向甲运动的过程中，加速度逐渐增大 |
| B．点电荷乙从A点向甲运动的过程中，其电势能先增大再减小 |
C．OB间的距离为 |
D．在点电荷甲形成的电场中，AB间电势差 |
如图1所示，虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界，磁场宽度为L，方向竖直向下。边长为l的正方形闭合金属线框abcd，以初速度v0沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动，经过一段时间线框通过了磁场区域。已知l<L，甲、乙两位同学对该过程进行了分析，当线框的ab边与MN重合时记为t=0，分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线，如图2、图3所示，图中S1、S2、S3和S4是图线与t轴围成的面积。关于两图线的判断以及S1、S2、S3和S4应具有的大小关系，下列说法正确的是
| A．图2正确，且S1>S2 | B．图2正确，且S1=S2 |
| C．图3正确，且S3>S4 | D．图3正确，且S3=S4 |
经国际小行星命名委员会命名的“神舟星”和“杨利伟星”的轨道均处在火星和木星轨道之间，它们绕太阳沿椭圆轨道运行，其轨道参数如下表。
| 远日点 |
近日点 |
|
| 神舟星 |
3.575AU |
2.794AU |
| 杨利伟星 |
2.197AU |
1.649AU |
注：AU是天文学中的长度单位，1AU="149" 597 870 700m（大约是地球到太阳的平均距离）。
“神舟星”和“杨利伟星”绕太阳运行的周期分别为T1和T2，它们在近日点的加速度分别为a1和a2。则下列说法正确的是
A．
，
B．
，
C．，
D．，
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