硅光电池已广泛应用于人造卫星和灯塔、高速公路“电子眼”等设施．其原理如图所示，a、b是硅光电池的两个电极，P、N是两块硅半导体，P、N可在E区形成匀强电场．P的上表面镀有一层膜，当光照射时，P内产生的自由电子经E区电场加速后到达半导体N，从而产生电动势．以下说法中正确的是（ ）
| A．a电极为电池的正极 |
| B．电源内部的电流方向由P指向N |
| C．E区匀强电场的方向由N指向P |
| D．硅光电池是一种把化学能转化为电能的装置 |
相关试题
关于光电效应，下列说法正确的是( )
| A．光电子的最大初动能与入射光的频率成正比 |
| B．用不可见光照射金属一定比用可见光照射同种金属产生的光电子的初动能大 |
| C．对同种金属只要入射光强度足够大，就会发生光电效应 |
| D．光电效应的发生几乎不需要时间积累，只要入射光的波长小于金属的极限波长即可 |
如图所示，在平面xy内有一沿水平x轴正方向传播的简谐横波，波速为3.0 m/s，频率为2.5Hz，振幅为8.0×10-2 m，已知t＝0时刻P点质点的位移为y＝4.0×10-2 m，速度沿y轴正方向，Q点在P点右方9.0×10-1 m处，对于Q处的质点来说( )
| A．在t＝0时，位移为y＝－4.0×10-2 m |
| B．在t＝0时，速度沿y轴负方向 |
| C．在t＝0.1 s时，位移为y＝－4.0×10-2 m |
| D．在t＝0.1 s时，速度沿y轴正方向 |
如图所示，a，b为两束不同频率的单色光，以45°的入射角射到玻璃砖的上表面，直线OO′与玻璃砖垂直且与其上表面交于N点，入射点A，B到N点的距离相等，经玻璃砖上表面折射后两束光相交于图中的P点，则下列说法正确的是 ( )
| A．在真空中，a光的传播速度大于b光的传播速度 |
| B．在玻璃中，a光的传播速度大于b光的传播速度 |
| C．同时增大入射角(入射角始终小于90°)，则a光在下表面先发生全反射 |
| D．对同一双缝干涉装置，a光的干涉条纹比b光的干涉条纹宽 |
时，摆球具有负向最大速度，则单摆的振动图象是下图中的( )
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