如图所示，虚线AB和CD分别为椭圆的长轴和短轴，相交于O点，两个等量异种点电荷分别处于椭圆的两个焦点M、N上，下列说法中正确的是
A．A、B两处电势、场强均相同
B．C、D两处电势、场强均相同
C．在虚线AB上O点的场强最大
D．带正电的试探电荷在O处的电势能大于在B处的电势能
相关试题
在做光电效应的实验时，某金属被光照射发生了光电效应，实验测得光电子的最大初动能Ek与入射光的频率ν的关系如图15－1－2所示，由实验图不可求出( )
图15－1－2
| A．该金属的极限频率和极限波长 |
| B．普朗克常量 |
| C．该金属的逸出功 |
| D．单位时间内逸出的光电子数 |
用波长为2.0×10－7 m的紫外线照射钨的表面，释放出来的光电子中最大的动能是4.7×10－19 J．由此可知，钨的极限频率是(普朗克常量h＝6.63×10－34 J·s，光速c＝3.0×108 m/s，结果取两位有效数字)( )
| A．5.5×1014Hz | B．7.9×1014Hz |
| C．9.8×1014Hz | D．1.2×1015Hz |
硅光电池是利用光电效应原理制成的器件，下列表述正确的是( )
| A．硅光电池是把光能转变为电能的一种装置 |
| B．硅光电池中吸收了光子能量的电子都能逸出 |
| C．逸出的光电子的最大初动能与入射光的频率无关 |
| D．任意频率的光照射到硅光电池上都能产生光电效应 |
某金属的逸出功为2.3 eV，这意味着( )
| A．这种金属内部的电子克服原子核引力做2.3 eV的功即可脱离表面 |
| B．这种金属表面的电子克服原子核引力做2.3 eV的功即可脱离表面 |
| C．要使这种金属有电子逸出，入射光子的能量必须小于2.3 eV，且离开金属表面的动能与2.3 eV无关 |
| D．这种金属受到光照时若有电子逸出，则电子离开金属表面时的动能至少等于2.3 eV |
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