如图所示，在一绝缘斜面C上有一带正电的小物体A处于静止状态，现将一带正电的小球B沿以A为圆心的圆弧缓慢地从A正上方的Q点转至A同高的P点处，且在此过程中物体A和C始终保持静止不动，A、B可视为质点。关于此过程，下列说法正确的是 
A．物体A受到斜面的支持力一直增大
B．物体A受到斜面的支持力先增大后减小
C．地面对斜面C的摩擦力一直增大
D．地面对斜面C的摩擦力先增大后减小
相关试题
在做光电效应的实验时，某金属被光照射发生了光电效应，实验测得光电子的最大初动能Ek与入射光的频率ν的关系如图15－1－2所示，由实验图不可求出( )
图15－1－2
| A．该金属的极限频率和极限波长 |
| B．普朗克常量 |
| C．该金属的逸出功 |
| D．单位时间内逸出的光电子数 |
用波长为2.0×10－7 m的紫外线照射钨的表面，释放出来的光电子中最大的动能是4.7×10－19 J．由此可知，钨的极限频率是(普朗克常量h＝6.63×10－34 J·s，光速c＝3.0×108 m/s，结果取两位有效数字)( )
| A．5.5×1014Hz | B．7.9×1014Hz |
| C．9.8×1014Hz | D．1.2×1015Hz |
硅光电池是利用光电效应原理制成的器件，下列表述正确的是( )
| A．硅光电池是把光能转变为电能的一种装置 |
| B．硅光电池中吸收了光子能量的电子都能逸出 |
| C．逸出的光电子的最大初动能与入射光的频率无关 |
| D．任意频率的光照射到硅光电池上都能产生光电效应 |
某金属的逸出功为2.3 eV，这意味着( )
| A．这种金属内部的电子克服原子核引力做2.3 eV的功即可脱离表面 |
| B．这种金属表面的电子克服原子核引力做2.3 eV的功即可脱离表面 |
| C．要使这种金属有电子逸出，入射光子的能量必须小于2.3 eV，且离开金属表面的动能与2.3 eV无关 |
| D．这种金属受到光照时若有电子逸出，则电子离开金属表面时的动能至少等于2.3 eV |
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