如图所示，斜劈B的倾角为30°，劈尖顶着竖直墙壁静止于水平地面上，现将一个半径为r的球A放在墙面与斜劈之间，并从图示位置由静止释放，不计一切摩擦，在A落地前某时刻速度为vA，则该时刻B的速度为（ ）
A． |
B． |
C． |
D． |
相关试题
半导体材料导电性能受光照影响较大，当光照增强时，其导电性能大幅度提高，表现为电阻减小，因而可用来制作成光敏电阻将光信号转化为电信号。如图所示，R1、R2为定值电阻，L为小灯泡，R3为光敏电阻，当照射光强度增大时
| A．电压表示数增大 | B．R2中电流增大 |
| C．小灯泡L的功率增大 | D．电路中路端电压降低 |
如图所示是某一点电荷的电场线分布图，a、b、c三点到该点电荷的距离分别为ra、rb、rc，且ra= rb＜ rc ,则下列表述正确的是
| A．该点电荷带正电 |
| B．a、b两点的场强相同 |
| C．a、b两点的电势相等 |
| D．将负电荷从a点移到c点，其电势能减少 |
下列说法正确的是
A．公式 适合于任意电场 |
B．公式 中的 是产生电场E的源电荷 |
C．公式 中的B是电流I所产生的磁场的磁感应强度 |
D．由公式 知，电容器的电容 与电容器带电量成正比 |
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