如图所示,平行板电容器处在真空中,电容为C,带电荷量为Q,板间距离为d,今在两板的中点d/2处放一电荷q,已知静电力常数为k,则它所受电场力的大小为A. B. C. DB.
在以P1Q1、P2Q2为边界的区域内有垂直纸面向内的匀强磁场,直角三角形金属导线框ABC位于纸面内,C点在边界P1Q1上,且AB⊥BC,已知AB=BC=L,P1Q1、P2Q2间距为2L。从t=0时刻开始,线框向右匀速穿过磁场区域,以顺时针方向为线框中感应电流i的正方向,则感应电流i随时间t变化的图象是 A B C D
如图所示,一质量为m的带电液滴在相互垂直的匀强电场和匀强磁场中(电场竖直向下,磁场在水平方向)的竖直平面内做半径为R的匀速圆周运动,则这个液滴
如图甲所示,理想变压器原、副线圈的匝数之比为10:1,R1=20Ω,R2=30Ω,C为电容器。已知通过R1的正弦交流电如图乙所示,则 甲 乙
如图所示,正负电子垂直磁场沿与边界成300角方向射入匀强磁场中,则正负电子在磁场中运动的时间之比为
半导体材料导电性能受光照影响较大,当光照增强时,其导电性能大幅度提高,表现为电阻减小,因而可用来制作成光敏电阻将光信号转化为电信号。如图所示,R1、R2为定值电阻,L为小灯泡,R3为光敏电阻,当照射光强度增大时