一段导体横截面积为S,导体单位长度上的自由电荷数为n,设其中单个自由电荷所带电量为q,定向移动速率为v,则导体中电流强度的表达式为（ ）
| A．nqSv | ||
| B．nqv | C．Sqv | D．Snq |
相关试题
关于核反应方程
(
为释放出的核能，X为新生成粒子)，已知
Th的半衰期为T，则下列说法正确的是( )
A． 没有放射性 |
B．比 少1个中子，X粒子是从原子核中射出的，此核反应为 衰变 |
C．N0个经2T时间因发生上述核反应而放出的核能为 N0(N0数值很大) |
D．Th的比结合能为 |
利用金属晶格（大小约10﹣10m）作为障碍物观察电子的衍射图样，方法是让电子通过电场加速，然后让电子束照射到金属晶格上，从而得到电子的衍射图样．已知电子质量为m、电量为e、初速度为零，加速电压为U，普朗克常量为h，则下列说法中正确的是（）
| A．物质波和电磁波一样，在真空中的传播速度为光速C |
B．实验中电子束的德布罗意波长为 |
| C．加速电压U越大，电子的德布罗意波长越大 |
| D．若用相同动能的质子代替电子，德布罗意波长越大 |
的衰变方程为
，其衰变曲线如图所示，τ为半衰期，则( )
下列说法正确的是( )
A．发现中子的核反应方程是 |
B． 经过4次α衰变和6次β衰变后成为稳定的原子核 |
C．200个 的原子核经过两个半衰期后剩下50个 |
D． 在中子轰击下生成 和 的过程中，原子核中的平均核子质量变大 |
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