如图甲所示，在空间中存在两个相邻的、磁感应强度大小相等、方向相反的有界匀强磁场，其宽度均为L.现将宽度也为L的矩形闭合线圈，从图示位置垂直于磁场方向匀速经过磁场区域，则在该过程中，能正确反映线圈中所产生的感应电流或其所受的安培力随时间变化的图像是图乙中的( )
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如图甲所示，理想变压器原、副线圈的匝数之比为10：1，R1=20Ω，R2=30Ω,C为电容器。已知通过R1的正弦交流电如图乙所示，则
甲乙
| A．交流电的频率为0.02Hz |
B．原线圈输入电压的最大值为220 V |
| C．电阻R2的电功率约为6.67W |
| D．通过R3的电流始终为零 |
半导体材料导电性能受光照影响较大，当光照增强时，其导电性能大幅度提高，表现为电阻减小，因而可用来制作成光敏电阻将光信号转化为电信号。如图所示，R1、R2为定值电阻，L为小灯泡，R3为光敏电阻，当照射光强度增大时
| A．电压表示数增大 | B．R2中电流增大 |
| C．小灯泡L的功率增大 | D．电路中路端电压降低 |
如图所示是某一点电荷的电场线分布图，a、b、c三点到该点电荷的距离分别为ra、rb、rc，且ra= rb＜ rc ,则下列表述正确的是
| A．该点电荷带正电 |
| B．a、b两点的场强相同 |
| C．a、b两点的电势相等 |
| D．将负电荷从a点移到c点，其电势能减少 |
适合于任意电场
中的
是产生电场E的源电荷
中的B是电流I所产生的磁场的磁感应强度
知，电容器的电容
与电容器带电量
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