图中A是一底边宽为L的闭合线框，其电阻为R。现使线框以恒定的速度v沿x轴向右运动，并穿过图中所示的宽度为d的匀强磁场区域，已知Ｌ< d，且在运动过程中线框平面始终与磁场方向垂直。若以x轴正方向作为力的正方向，线框从图1所示位置开始运动的时刻作为时间的零点，则在图2所示的图像中，可能正确反映上述过程中磁场对线框的作用力F 随时间t变化情况的是
相关试题
在卢瑟福的
粒子散射实验中，某一粒子经过某一原子核附近时的轨迹如图所示．图中P、Q为轨迹上的点，虚线是经过P、Q两点并与轨迹相切的直线，两虚线和轨迹将平面分为四个区域．不考虑其他原子核对粒子的作用，则关于该原子核的位置，正确的是（）
| A．一定在①区域 | B．可能在②区域 |
| C．可能在③区域 | D．一定在④区域 |
平抛运动可以分解为水平和竖直两个方向的直线运动，在同一坐标系中作出这两个分运动的v-t图像，则：( )
| A．图线2表示竖直分运动的v–t图线 |
| B．这两个直线运动的合运动还是直线运动 |
| C．水平方向的速度总大于竖直方向的速度 |
| D．t1时刻水平方向的速度的与竖直方向的速度大小相等 |
吊在大厅天花板上的吊扇的总重力为G，静止时固定杆对吊环的拉力大小为F，当接通电源，让扇叶转动起来后，吊杆对吊环的拉力大小为F′，则有( )
| A．F＝G，F′＝F | B．F＝G，F′>F |
| C．F＝G，F′<G | D．F′＝G，F′>F |
温度能明显地影响金属导体和半导体材料的导电性能，如图所示的图线分别为某金属导体和某半导体的电阻随温度变化的关系曲线，则( )
| A．图线1反映半导体材料的电阻随温度的变化关系 |
| B．图线2反映金属导体的电阻随温度的变化关系 |
| C．图线1反映金属导体的电阻随温度的变化关系 |
| D．图线2反映半导体材料的电阻随温度的变化关系 |
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