如图所示，在O点处放置一个正电荷。在过O点的竖直平面内的A点，自由释放一个带正电的小球，小球的质量为m、电荷量为q。小球落下的轨迹如图中虚线所示，它与以O为圆心、R为半径的圆 (图中实
线表示)相交于B、C两点，O、C在同一水平线上，∠BOC = 30°，A距离OC的竖直高度为h。若小球通过B点的速度为v，则下列说法正确的是
A．小球通过C点的速度大小是 |
| B．小球在B到C的过程中，机械能守恒 |
C．小球由A点 到C点的过程中电势能先减少后不变 |
D．小球 由A点到C点机械能的损失是 |
相关试题
下列说法正确的是( )
| A．电场中某点的电场强度在数值上等于单位正电荷在该点受到的电场力大小 |
| B．电场线并不真实存在，它其实是电荷只在电场力作用下的运动轨迹 |
| C．电荷在某点的电势能，等于把它从该点移到零电势位置电场力做的功 |
| D．以无穷远处为零电势，负检验电荷在正点电荷附近的电势能总是负的 |
由欧姆定律I＝
导出U＝IR和R＝
，下列叙述中正确的是( )
| A．导体的电阻跟导体两端的电压成正比，跟导体中的电流成反比 |
| B．导体的电阻由导体本身的物理条件决定，跟导体两端的电压及流过导体的电流的大小无关 |
| C．对确定的导体，其两端电压和流过它的电流的比值就是它的电阻值 |
| D．一定的电流流过导体，电阻越大，其电压就越大 |
以下对“静电场”一章中几个公式的理解，错误的是：
| A．公式C=Q/U指出，电容器的电容随电容器所带电荷量Q的增加而增加 |
| B．由E=U/d可知，同一个电容器两板电势差U越大时板内电场强度E越大 |
| C．在公式F=kq1q2/r2中，kq2/r2是q1所在位置的电场强度的大小 |
| D．公式WAB=qUAB中，电荷q沿不同路径从A点移动到B点，静电力做功不同 |
如图所示的电路中，当半导体材料做成的热敏电阻浸泡到热水中时，电流表示数增大，则说明
| A．热敏电阻在温度越高时，电阻越大 |
| B．热敏电阻在温度越高时，电阻越小 |
| C．半导体材料温度升高时，导电性能变差 |
| D．半导体材料温度升高时，导电性能变好 |
和
对于任何静电场都是适用的
粤公网安备 44130202000953号