如图所示，四个相同的表头分别改装成两个安培表和两个伏特表。安培表A1的量程大于A2的量程，伏特表V1的量程大V2的量程，把它们按图接入电路，则
①安培表A1的读数大于安培表A2的读数；
②安培表A1的偏转角小于安培表A2的偏转角；
③伏特表V1的读数小于伏特表V2的读数；
④伏特表V1的偏转角等于伏特表V2的偏转角；
| A．①②； | B．②③； | C．③④； | D．④① |
相关试题
由欧姆定律I＝
导出U＝IR和R＝
，下列叙述中正确的是( )
| A．导体的电阻跟导体两端的电压成正比，跟导体中的电流成反比 |
| B．导体的电阻由导体本身的物理条件决定，跟导体两端的电压及流过导体的电流的大小无关 |
| C．对确定的导体，其两端电压和流过它的电流的比值就是它的电阻值 |
| D．一定的电流流过导体，电阻越大，其电压就越大 |
以下对“静电场”一章中几个公式的理解，错误的是：
| A．公式C=Q/U指出，电容器的电容随电容器所带电荷量Q的增加而增加 |
| B．由E=U/d可知，同一个电容器两板电势差U越大时板内电场强度E越大 |
| C．在公式F=kq1q2/r2中，kq2/r2是q1所在位置的电场强度的大小 |
| D．公式WAB=qUAB中，电荷q沿不同路径从A点移动到B点，静电力做功不同 |
如图所示的电路中，当半导体材料做成的热敏电阻浸泡到热水中时，电流表示数增大，则说明
| A．热敏电阻在温度越高时，电阻越大 |
| B．热敏电阻在温度越高时，电阻越小 |
| C．半导体材料温度升高时，导电性能变差 |
| D．半导体材料温度升高时，导电性能变好 |
下列说法中正确的是（）
| A．电场强度反映了电场的力的性质，因此电场中某点的电场强度与试探电荷在该点所受的电场力成正比 |
| B．电场中某点的电场强度，由电场本身的性质决定，与试探电荷在该点所受的静电力及带电量无关 |
| C．规定电场中某点电场强度的方向与正试探电荷在该点所受的静电力方向相同 |
D．公式 和 对于任何静电场都是适用的 |
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