半导体材料的导电性能受外界条件的影响很大，有的半导体在温度升高时其电阻减小得非常迅速．利用这种半导体材料可以制成体积很小的热敏电阻。如图所示是火警报警系统的部分电路，其中RT为热敏电阻，电流表A为值班室的显示器，a、b之间接报警器。
当热敏电阻RT所在处出现火情时．显示器A的电流I、报警器两端的电压U的变化情况是
| A．I变大，U变大 |
| B．I变大，U变小 |
| C．I变小，U变大 |
| D．I变小，U变小 |
如图所示，竖直放置足够长的平行光滑导轨间距d=lm、其电阻不计，磁感应强度B=1T、方向垂直纸面向里，匀质导体棒AB长L=2m、电阻r=1Ω、质量为m=0.lKg；电阻R1=R2=1Ω，现让棒AB由静止释放（与导轨接触良好）．下降到虚线位置时达到最大速度，下列说法正确的是（g= 10m/s2）
| A．棒AB的最大速度为1m/s |
| B．通过R1的最大电流为lA |
| C．闭合回路的路端电压是0.5v |
| D．棒AB最大电功率为1W |
如右图所示，带有正电荷的A粒子和B粒子同时以同样大小的速度从宽度为d的有界匀强磁场的边界上的O点分别以30°和60°（与边界的夹角）射入磁场，又恰好都不从另一边界飞出，则下列说法中正确的是
A．A、B两粒子在磁场中做圆周运动的半径之比是
B．A、B两粒子在磁场中做圆周运动的半径之比是
C．A、B两粒子的
之比是
D．A、B两粒子的
之比是
一光滑圆弧形的槽，槽底放在水平地面上，槽的两侧与坡度及粗糙程度相同的两个斜坡aa′bb′相切，相切于a、b位于同一水平面内，槽与斜坡在竖直平面内的截面如图所示。一小物块从斜坡aa′上距水平面ab的高度为2h处由静止沿斜坡滑下，并自a处进入槽内，到达b后沿斜坡bb′向上滑行，不考虑空气阻力，到达的最高处距水平面ab的高度为h；接着小物块沿斜坡bb′滑下并从b处进入槽内反向运动，沿斜坡aa′向上滑行到达的最高处距水平面ab的高度为
一列简谐横波，在t=0时的波形如图所示，自右向左传播，已知在t1=0.7s时，x=3cm处的质点P出现第二次波峰（在这0.7s内P点出现两次波峰），Q点的坐标是（-7cm，0），则以下判断中正确的是
| A．振源的起源方向向上 |
| B．在t=0.1s内，x=2.5cm处质点沿传播方向移动的距离为1cm |
| C．在t2=0.9s时，Q点第一次出现波峰 |
| D．在t3=1.1s时，Q点第一次出现波峰 |
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