如图甲所示，bacd为用导体做成的框架，其平面与水平面成
角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd
接触良好，回路的电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ始终静止，则在0~t2 s内（t=0时刻，安培力大于mgsin），对PQ受到的摩擦力F的分析正确的是
| A．F先减小后增大，且在t1时刻为零 |
| B．F先减小后增大，且在t1时刻F=mgsin |
| C．F先增大后减小，且在时刻为最大值 |
| D．F先增大后减小，且在t1时刻F=mgsin |
如图甲所示，bacd为用导体做成的框架，其平面与水平面成角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ始终静止，则在0~t2 s内（t=0时刻，安培力大于mgsin），对PQ受到的摩擦力F的分析正确的是
| A．F先减小后增大，且在t1时刻为零 |
| B．F先减小后增大，且在t1时刻F=mgsin |
| C．F先增大后减小，且在时刻为最大值 |
| D．F先增大后减小，且在t1时刻F=mgsin |
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