如图甲所示,bacd为用导体做成的框架,其平面与水平面成角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中,磁感应强度B的变化情况如图乙所示,PQ始终静止,则在0~t2 s内(t=0时刻,安培力大于mgsin),对PQ受到的摩擦力F的分析正确的是
A.F先减小后增大,且在t1时刻为零 |
B.F先减小后增大,且在t1时刻F=mgsin |
C.F先增大后减小,且在时刻为最大值 |
D.F先增大后减小,且在t1时刻F=mgsin |
如图甲所示,bacd为用导体做成的框架,其平面与水平面成角,质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的电阻为R,整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中,磁感应强度B的变化情况如图乙所示,PQ始终静止,则在0~t2 s内(t=0时刻,安培力大于mgsin),对PQ受到的摩擦力F的分析正确的是
A.F先减小后增大,且在t1时刻为零 |
B.F先减小后增大,且在t1时刻F=mgsin |
C.F先增大后减小,且在时刻为最大值 |
D.F先增大后减小,且在t1时刻F=mgsin |