如图所示，空间有竖直向下的匀强电场，电场强度为
，在电场中
处由静止下落一质量为
、带电量为
的小球(可视为质点)。在的正下方
处有一水平弹性绝缘挡板．
(挡板不影响电场的分布)，小球每次与挡板相碰后电量减小到碰前的
倍(
)，而碰撞过程中小球的机械能不损失，即碰撞前后小球的速度大小不变，方向相反。设在匀强电场中，挡板处的电势为零，则下列说法正确的是 （ ）
| A．小球在初始位置P处的电势能为Eqh |
| B．小球第一次与挡板相碰后所能达到的最大高度大于h |
| C．小球第一次与挡板相碰后所能达到最大高度时的电势能大于Eqh |
D．小球与挡板每次碰撞后所能达到的最大高度与前一次碰撞所能达到的最大高度的变化量 相等 |
篮球运动员接传来的篮球时，通常要先伸出两臂迎接，手接触到球后，两臂随球迅速引至胸前，这样做可以（ ）
| A．减小球的动能变化量 |
| B．增加球的动量变化率 |
| C．减小球的动量变化量 |
| D．减小球对手的冲力 |
半导体内导电的粒子—“载流子”有两种：自由电子和空穴（空穴可视为能自由移动带正电的粒子），以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体，以空穴导电为主的半导体叫P型半导体。
图为检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的原理图，图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品板放在沿y轴正方向的匀强磁场中，磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时，会在与z轴垂直的两个侧面之间产生霍尔电势差UH，霍尔电势差大小满足关系
，其中k为材料的霍尔系数。若每个载流子所带电量的绝对值为e，下列说法中正确的是
A．如果上表面电势高，则该半导体为P型半导体
B．如果上表面电势高，则该半导体为N型半导体
C．霍尔系数较大的材料，其内部单位体积内的载流子数目较多
D．样品板在单位体积内参与导电的载流子数目为
如图甲所示，在某电场中建立x坐标轴，A、B为x轴上的两点，xA、xB分别为A、B两点在x轴上的坐标值。一电子仅在电场力作用下沿x轴运动，该电子的电势能Ep随其坐标x变化的关系如图乙所示，则下列说法中正确的是
A．该电场一定不是孤立点电荷形成的电场
B．A点的电场强度小于B点的电场强度
C．电子由A点运动到B点的过程中电场力对其所做的功W=EpA－EpB
D．电子在A点的动能小于在B点的动能
如图所示，水平放置的两个正对的带电金属板MN、PQ间存在相互垂直的匀强电场和匀强磁场，电场强度为E，磁感应强度为B。在a点由静止释放一带正电的微粒，释放后微粒沿曲线acb运动，到达b点时速度为零，c点是曲线上离MN板最远的点。已知微粒的质量为m，电荷量为q，重力加速度为g，不计微粒所受空气阻力，则下列说法中正确的是
A．微粒在a点时加速度方向竖直向下
B．微粒在c点时电势能最大
C．微粒运动过程中的最大速率为
D．微粒到达b点后将沿原路径返回a点
粤公网安备 44130202000953号