K -介子衰变的方程为K -→π-+π0,其中K -介子和π-介子带负的基元电荷,π0介子不带电.一个K -介子沿垂直于磁场的方向射入匀强磁场中,其轨迹为圆弧AP,衰变后产生的π-介子的轨迹为圆弧PB,两轨迹在P点相切,它们的半径RK-与Rπ-之比为2∶1,如图4-3-1.π0介子的轨迹未画出.由此可知π-介子的动量大小与π0介子的动量大小之比为( )图4-3-1
如图所示,电阻R1、R2、R3的电功率相等,则他们的阻值之比等于()
在下图所示的实验装置中,平行板电容器的极板如图连接。若极板A稍向上平移一点儿,则()
如图所示,在正方形空腔内有匀强磁场,电子以不同的速率从a孔垂直磁场方向平行于ab边射入磁场,将从c孔射出的电子与从d孔射出的电子相比较()
质量为m的通电细杆ab置于倾角为θ的平行导轨上,导轨宽为d,杆与导轨间的摩擦因数为μ,有电流时ab恰好在导轨上静止,如图所示。下图是从右侧观察时的四种不同的匀强磁场方向下的四个平面图,其中通电细杆ab与导轨间的摩擦力可能为零的是()
如图所示的虚线区域内,充满垂直于纸面向里的匀强磁场和竖直向下的匀强电场。一带电粒子a(不计重力)以一定的初速度由左边界的O点射入磁场、电场区域,恰好沿直线由区域右边界的O ¢点(图中未标出)穿出。若撤去该区域内的磁场而保留电场不变,另一个同样的粒子b(不计重力)仍以相同初速度由O点射入,从区域右边界穿出, 则()