如图所示是利用“霍尔元件”测量磁场的磁感应强度的示意图．“霍尔元件”是由半导体材料制成的矩形薄片，它的四边各有一条引线．把它放入匀强磁场中，使薄片平面与磁场方向垂直，A．B两引线与直流电源相连，C．D两引线与电压表相连．已知该半导体材料中单位体积内的自由电荷数为n、每个自由电荷的电量为q，元件的A．B两边距离为A．C．D两边距离为B．厚度为d，通过电流表读出元件中通过的电流为I、从电压表读出电压为U．
(1)已知磁场方向向下，C．D两引线哪边的电势较高？
(2)求磁感应强度B的大小．
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求该镭核在衰变为氡核和x粒子时释放的能量。 (保留三位有效数字，电子电荷量
e="1.60" X 1 0一19 C，lu可近似取1.60 X 10—27 kg)‘
在某次反恐演习中，“恐怖车辆”在一平直公路上以速度v1=40m／s匀速逃离，飞机在离地面h="125" m的高度以v2=60m／s的水平速度匀速追击。当飞机上的雷达显示两者水平距离x=100m时，开始投弹。此时，恰好被车上的“恐怖分子”发现，为躲避炸弹立即刹车，车所受阻力为车重的0.4倍。已知炸弹落地的杀伤半径r=30m，试求：炸弹能否伤及“恐怖车辆”？(g取10m／s2，不计空气阻力)
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